型号:STD10NM60N
品牌:STMicroelectronics
产品描述:集成电路(IC) 场效应管
MOSFET N-channel 600 V Mdmesh 8A
系列:STD10NM60N
产品种类:MOSFET
漏极连续电流:10 A
导通电阻:550 mOhms
配置:Single
工作温度:+ 150 C
安装风格:SMD/SMT/贴片
工作温度:- 55 C
功率耗散:70 W
上升时间:12 ns
晶体管极性:N-Channel
汲极/源极击穿电压:600 V
封装:DPAK
封装:Reel/卷盘
下降时间:15 ns
栅极电荷 Qg:19 nC
工厂包装数量:2500
典型关闭延迟时间:32 ns
价格: 面议
数量:18960
备注:深圳市勤思达科技有限公司长期供应晶体MOS场效应管
STD10NM60N原装,厂家直销品质保证,欢迎广大客户朋友咨询谈。