深圳市勤思达科技有限公司

供应SI4116DY-T1-GE3应用MOS同步降压低压侧

型号/规格:SI4116DY-T1-GE3 品牌/商标:VISHAY/威世 封装形式:SOP-8 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:盒带编带包装 功率特征:中功率 晶体管极性:N Vds-漏源极击穿电压:25 V Id-连续漏极电流:18 A 工作温度:- 55 C-150c

AP65N06NF医疗场效应MOS管

型号/规格:AP65N06NF 品牌/商标:APM/永源微 封装形式:PDFN5*6-8L 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:中功率 电流:65A 电压:60

功率MOS管N沟道STD4NK80ZT4

型号/规格:STD4NK80ZT4 品牌/商标:ST（意法半导体） 封装形式:TO-252 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:大功率 通道:N 电压:800V 电流:2.7A 封装:TO-252

供应LN2506DT1G

型号/规格:LN2506DT1G 品牌/商标:LRC 封装形式:DFN 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:小功率

2SK364-GR to-92 东芝场效应管

型号/规格:2SK364-GR 品牌/商标:TOSHIBA（东芝） 环保类别:无铅环保型 VGDS:-40V IGSS:-10nA(MAX) VGS:-30V RDS:50欧 IDss:5毫安

IRL540NPBF MOSFT 36A 晶体管现货

型号/规格:IRL540NPB 品牌/商标:INFINEON（英飞凌） 封装形式:TO-220 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:管装 功率特征:中功率 通道数量:1 晶体管极性:N Vds-漏源极击穿电压:100 V Id-连续漏极电流:36 A Rds On-漏源导通电阻:44 mOhms Vgs - 栅极-源极电压:16 V Vgs th-栅源极阈值电压:2 V Qg-栅极电荷:49.3 nC

2SJ162 2SK1058音频对管 场效应管 TO-3P

型号/规格:2SJ162 品牌/商标:RENESAS（瑞萨） 封装形式:TO-3P 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:单件包装 功率特征:大功率

东芝功放管2SJ200 J200 TO-3P 进口原装

型号/规格:2SJ200 品牌/商标:TOSHIBA（东芝） 封装形式:TO-3P 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:散装 功率特征:大功率

供应音频对管2SJ201 2SK1530 TO-3P封装

型号/规格:2SJ201 品牌/商标:TOSHIBA（东芝） 封装形式:TO-3P 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:散装 功率特征:大功率

2SJ103-GR J103 TO-92 全新 场效应管

型号/规格:2SJ103-GR 品牌/商标:TOSHIBA（东芝） 封装形式:TO-92 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:散装 功率特征:大功率

音频放大器 2SJ74-BL J74 TO-92 原装东芝

型号/规格:2SJ74 品牌/商标:TOSHIBA（东芝） 封装形式:TO-92 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:散装 功率特征:大功率

供应2SK3767 K3767大功率晶体管 品质保证

型号/规格:2SK3767 品牌/商标:TOSHIBA（东芝） 封装形式:TO-220F 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:散装 功率特征:大功率

三极管2SJ449 J449 TO-220F封装 NEC

型号/规格:2SJ449 品牌/商标:RENESAS（瑞萨） 封装形式:TO-220F 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:散装 功率特征:超大功率

晶体管2SK3799 K3799 TO-220F 东芝原装

型号/规格:2SK3799 品牌/商标:TOSHIBA（东芝） 封装形式:TO-220F 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:散装 功率特征:大功率

东芝场效应管2SK4013 K4013 TO-220F 6A

型号/规格:2SK4013 品牌/商标:TOSHIBA（东芝） 封装形式:TO-220F 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:散装 功率特征:大功率

晶体管2SK4086LS K4086L N沟道 MOSFET管

型号/规格:2SK4086LS 品牌/商标:SANYO（三洋） 封装形式:TO-220FP 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:单件包装 功率特征:大功率

场效应管2SJ655 J655 MOSFET P 通道

型号/规格:2SJ655 品牌/商标:RENESAS（瑞萨） 封装形式:TO-220F 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:单件包装 功率特征:大功率

2SK4087LS MOSFET 场效应管 N-Channel

型号/规格:2SK4087LS 品牌/商标:ON（安森美） 封装形式:TO-220F 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:散装 功率特征:大功率

FQA24N50 24N50 290W 大功场效应管 N通道

型号/规格:FQA24N50 品牌/商标:ON（安森美） 封装形式:TO-3P 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:散装 功率特征:大功率 工作温度:- 55 C 工作温度:+ 150 C Pd-功率耗散:290 W

电磁炉功率管FGA15N120ANTD 15A 1200V

型号/规格:FGA15N120ANTD 品牌/商标:FAIRCHILD（飞兆） 封装形式:TO-3P 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:散装 功率特征:大功率 工作温度:- 55 C 工作温度:+ 150 C 集电极—发射极电压 VCEO:1200 V

场效应管 2SK544E-AC TO-92封装 SANYO

型号/规格:2SK544E-AC 品牌/商标:SANYO（三洋） 封装形式:TO-92 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:散装 功率特征:小功率

供应2SK30A K30A MOS场效应管 TO-92 封装

型号/规格:2SK30A 品牌/商标:TOSHIBA（东芝） 封装形式:TO-92 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:散装 功率特征:小功率

供应大功率场效应管FQA9N90C 9A/900V 280W

型号/规格:FQA9N90C 品牌/商标:FAIRCHILD（飞兆） 封装形式:TO-3P 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:散装 功率特征:大功率

N沟道功率MOSFET 2SK389 2SJ109音频放大器

型号/规格:2SK389 品牌/商标:TOSHIBA（东芝） 封装形式:ZIP-7 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:散装 功率特征:小功率

供应场效应管IRF9640PBF功率MOSFET 现货

型号/规格:IRF9640PBF 品牌/商标:VISHAY 封装形式:TO-220 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:散装 功率特征:大功率

IRFB3607PBF MOS管 晶体管75V 80A

型号/规格:IRFB3607PBF 品牌/商标:IR 封装形式:TO-220 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:管装 功率特征:小功率 Vds-漏源极击穿电压::75 V Id-连续漏极电流:80 A

J112RLRAG JFET斩波晶体管 N通道 耗尽MOS管

型号/规格:J112RLRAG 品牌/商标:ON（安森美） 环保类别:无铅环保型 封装 / 箱体:TO-92-3 Vgs-栅源极击穿电压:35 V Vgs=0时的漏-源电流:5 mA 晶体管极性:N-Channel

供应MOS 晶体管 IRLIB4343PBF IRLIB4343

型号/规格:IRLIB4343PBF 品牌/商标:IR 封装形式:TO-220 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:散装 功率特征:大功率

售晶体管 IRLIB9343PBF MOSFET 1P-CH -55V

型号/规格:IRLIB9343PBF 品牌/商标:IR 封装形式:TO-220 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:散装 功率特征:大功率

供应IRFB3607PBF分立半导体 晶体管 MOSFET

型号/规格:IRFB3607PBF 品牌/商标:INFINEON（英飞凌） 封装形式:TO-220 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:管 功率特征:中功率 Vds-漏源极击穿电压:75 V Id-连续漏极电流:80 A Rds On-漏源导通电阻:7.34 mOhms Vgs - 栅极-源极电压:20 V Qg-栅极电荷:56 nC Pd-功率耗散:140 W

KTA1862D-Y-RTF MOS 场效应 原装现货

型号/规格:KTA1862D-Y-RTF 品牌/商标:KEC 封装形式:TO-252 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:盒带编带包装 功率特征:小功率

IPD640N06LG MOSFET N-Ch 60V 18A DPAK-2

型号/规格:IPD640N06LG 品牌/商标:INFINEON（英飞凌） 封装形式:TO-252 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:小功率 Vds-漏源极击穿电压:60 V Id-连续漏极电流:18 A Vgs - 栅极-源极电压:20 V 工作温度:- 55 C+ 175 C

MT9435ACTR场效应晶体管

型号/规格:MT9435ACTR 品牌/商标:MT茂钿 封装形式:SOP 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:小功率

IRFP450A 500V HEXFET MOSFET

型号/规格:IRFP450APBF 品牌/商标:IR 封装形式:TO-247-3 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:管装 功率特征:大功率 通道数量:1 Channel 晶体管极性:N-Channel Vds-漏源极击穿电压:500 V Id-连续漏极电流:14 A Rds On-漏源导通电阻:400 mOhms Vgs th-栅源极阈值电压:2 V Vgs - 栅极-源极电压:10 V 工作温度:- 55 C+ 150 C

分离式半导体IRF4905S IRF4905STRLPBF MOS

型号/规格:IRF4905STRLPBF 品牌/商标:IR 封装形式:TO263 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:盒带编带包装 功率特征:中功率

供应 IRF3315STRLPBF D2PAK MOSFET N通道

型号/规格:IRF3315STRLPBF 品牌/商标:IR 封装形式:TO252 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:盒带编带包装 功率特征:中功率

供应 IRFS3607TRLPBF TO-263 MOSFET5V 80A

型号/规格:IRFS3607TRLPBF 品牌/商标:IR 封装形式:T-263 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:中功率

分离式半导体MMBF4393 N沟道场效应管

型号/规格:MMBF4393 品牌/商标:FAIRCHILD 封装形式:SOT23 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:小功率