深圳市勤思达科技有限公司

供应开关二极管BAV99-E3-08 贴片SOT-23

型号/规格:BAV99-E3-08 品牌/商标:Vishay（威世） 封装形式:SOT-23 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:盒带编带包装 功率特性:小功率 频率特性:高频 整流电流:250mA 反向电压:70V

供应US1K-E3/61T整流器 800V 1A 贴片SMA

型号/规格:US1K-E3/61T 品牌/商标:Vishay（威世） 封装形式:SMA 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特性:大功率 频率特性:高频 整流电流:1.0A 反向击穿电流:800V

供应SI7135DP-T1-GE3 小功率MOSFET P通道

型号/规格:SI7135DP-T1-GE3 品牌/商标:Vishay / Siliconix 封装形式:SOT-23 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:小功率

供应肖特基二极管STPS2L60A

型号/规格:STPS2L60A 品牌/商标:ST（意法半导体） 封装形式:SMA 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特性:中功率 频率特性:高频 整流电流:2AA 反向电压:60 VV

供应贴片MOSFET SQ2308CES-T1-GE3

型号/规格:SQ2308CES-T1-GE3 品牌/商标:Vishay / Siliconix 封装形式:SOT-23 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:小功率

供应场效应管SI9435BDY-T1-E3

型号/规格:SI9435BDY-T1-E3 品牌/商标:Vishay / Siliconix 封装形式:SOP-8 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:中功率

供应M74HC132RM13TR逻辑ic 逆变器

型号:M74HC132RM13TR 品牌:ST 批号:2018+ 数量:18900 逻辑类型:与非门 电路数:4 输入数:2 电源电压:2 V ~ 6 V

供应STPS20170CG-TR 贴片TO252 肖特基二极管

型号/规格:STPS20170CG-TR 品牌/商标:ST（意法半导体） 封装形式:TO-252-3 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特性:大功率 频率特性:高频 整流电流:180A 反向电压:170V 批号:2017 数量:17890 单价:面议 二极管配置:一对共阴 二极管类型:肖特基二极管

供应STP3NK90Z TO-220 MOSFET

型号/规格:STP3NK90Z 品牌/商标:ST（意法半导体） 封装形式:TO-220 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:散装 功率特征:大功率

IRF840PBF TO-220 MOSFET N通道

型号/规格:IRF840PBF 品牌/商标:Vishay / Siliconix 封装形式:TO-220 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:散装 功率特征:大功率 FEET类型:N通道

STP55NF06晶体MOSFET N通道 TO-220F

型号/规格:STP55NF06 品牌/商标:ST（意法半导体） 封装形式:TO-220 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:散装 功率特征:大功率

供应SI4972DY-T1-E3双N通道MOSFET

型号/规格:SI4972DY-T1-E3 品牌/商标:Vishay Siliconix 封装形式:SOT-23 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:小功率 批号:2017+ 数量:18900 单价:面议 FET类型:2 个 N 沟道（双） 漏源电压（Vdss）:30V 功率耗散:3.1W，2.5W 工作温度范围:-55°C ~ 150°C（TJ）

供应STM8S003F3P6TR 嵌入式微控制器

型号:STM8S003F3P6TR 品牌:STMicroelectronics 封装:TSSOP20 批号:2018 数量:289000 频率:16 MHz 处理器:STM8 尺寸:8W位 程序存储容量:8KB（8K x 8） 储存类型:闪存 电源电压:2.95 V ~ 5.5 V

供应SI2316BDS-T1-E3 小功率MOSFET N沟道

型号/规格:SI2316BDS-T1-E3 品牌/商标:Vishay / Siliconix 封装形式:SOT-23 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:小功率 批号:2017 数量:36800 封装尺寸:SOT-23-3（TO-236 类型:N沟道 工作温度范围:-55°C ~ 150°C（TJ 漏源电压（Vdss）:30V

供应BTB16-800BWRG晶闸管可控硅 TO-220AB

型号/规格:BTB16-800BWRG 品牌/商标:STMicroelectronics 封装:TO-220AB 批号:2017+ 数量:23890 单价:面议 类型:可控硅晶闸管 电压 - 断态:800V It（RMS:16A

SI2337DS-T1-GE3 晶体MOSFET P通道

型号/规格:SI2337DS-T1-GE3 品牌/商标:Vishay / Siliconix 封装形式:SOT-23 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:小功率 批号:2017 数量:37800 单价:面议 FET 类型:P通道 Vdss:80V Id:2.2A（Tc） 功率耗散:760mW 正常工作温度:-50°C ~ 150°C（TJ）

供应SI2315BDS-T1-E3贴片MOSFET

型号/规格:SI2315BDS-T1-E3 品牌/商标:Vishay Siliconix 封装形式:SOT-23 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:大功率 批号:2017+ 数量:15800 单价:面议 功率:750 mW FET 类型:P通道 漏源电压（Vdss）:12V

供应SI7858ADP-T1-E3 晶体MOSFET 贴片QFN8

型号/规格:SI7858ADP-T1-E3 品牌/商标:Vishay / Siliconix 封装形式:QFN-8 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:盒带编带包装 功率特征:大功率 FET 类型:N沟道 批号:2017+ 数量:19860 单价:面议 漏源电压（Vdss）:12V 电流:20A 工作温度范围:-55C ~ 150C

供应双通道MOSFET晶体管SI4914BDY-T1-E3

型号/规格:SI4914BDY-T1-E3 品牌/商标:Vishay / Siliconix 封装形式:SOP-8 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:大功率 批号:2017+ 数量:198600 FET 类型:2个N通道 Vdss:30v 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 封装尺寸:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应贴片MOSFET STB11NM80T4

型号/规格:STB11NM80T4 品牌/商标:ST 封装形式:TO-263 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:盒带编带包装 功率特征:大功率 批号:2017+ 单价:面议 数量:19860 FET 类型:N通道 漏源电压（Vdss）:800V Id:11A 功耗:150W 正常工作温度:-65°C ~ 150°C

供应商贴片MOSFET SI7178DP-T1-GE3 N通道

型号/规格:SI7178DP-T1-GE3 品牌/商标:Vishay Semiconductors 封装形式:QFN-8 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:大功率 批号:2017+ 数量:198500 单价:面议 FET 类型:N沟道 Vdss:100V 功耗:104W（Tc） 工作温度范围:-55°C ~ 150°C（TJ） 封装尺寸:PowerPAK® SO-8

供应TVS二极管P6KE36CA-E3 30.8V 49.9V

品牌:Vishay Semiconductors 型号:P6KE36CA-E3/54 数量:985200 单价:面议 类型:齐纳 功率 - 峰值脉冲:600W

供应电压基准器TS2431AILT 贴片SOT23

型号/规格:TS2431AILT 品牌/商标:ST(意法半导体) 封装:SOT-23 批号:2017+ 单价:面议 产品类型:分流器 输出类型:可调 电压工作范围:2.5~24V 电流输出:100 mA 正常工作温度:-40°C ~ 105°C 容差:1%

供应可控硅TYN625RG直插TOV

型号/规格:TYN625RG 品牌/商标:STMicroelectronics 种类:晶闸管 SCR 电压 断态:600V Vgt:1.3V It（AV):16A ItRMS:25A Ih:500Mh 批号:2018+ 数量:15600 单价:面议 工作温度范围:-40°C ~ 125°C

供应STB20NM50贴片MOSFET TO-252 N通道

型号/规格:STB20NM50 品牌/商标:ST（意法半导体） 封装形式:TO-252-3 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:大功率 批号:2017+ 单价:面议 数量:15000 FET 类型 :N沟道 漏源电压（Vdss）:550V 功耗:192W（Tc） 工作温度范围:-65°C ~ 150°C

供应SI7110DN-T1-GE3 MOSFET 贴片QFN

型号/规格:SI7110DN-T1-GE3 品牌/商标:Vishay / Siliconix 封装形式:QFN 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:大功率 批号:2018+ 数量:50000 单价:面议 FET 类型:N通道 Vdss:20V 功率耗散:1.5W

供应TL431ACDT SOT-23基准电压器

型号:TL431ACDT 品牌:ST 类型:基准电压器 封装:SOP8 参考类型:分流器 输出类型:可调式 电压 - 输出:2.495V 容差:1% 产品尺寸:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 正常工作温度范围:0°C ~ 70°C

供应STB75NF75T4 D2PAK MOSFET ST原装进口

型号/规格:STB75NF75T4 品牌/商标:ST（意法半导体） 封装形式:TO-263 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:大功率 批号:2017+ 数量:185000 单价:面议 FET 类型:N通道 Vdss:75V 工作温度范围:-55°C ~ 175°C

供应场效应管MOSFET IRF9540PBF

型号/规格:IRF9540PBF 品牌/商标:Vishay 封装形式:TO-220 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:大功率 批号:2017+ 数量:195800 单价:面议 FET 类型:P通道 Vdss:100V 工作温度范围:-55°C ~ 175°C

供应M24C08-RMN6TP 储存器 TSSOP8

型号:M24C08-RMN6TP 种类:只读可编程储存器 批号:2018+ 数量:15800 单价:面议 存储器类型:非易失 存储容量:8Kb （1K x 8） 频率:400KHZ

供应STPS1150AY肖特基二极管贴片SMA

型号/规格:STPS1150AY 品牌/商标:ST（意法半导体） 封装形式:SMA 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:盒带编带包装 功率特性:大功率 频率特性:高频 整流电流:1AA 反向击穿电流:150V 批号:2018+ 数量:158000 单价:面议 二极管类型:肖特基 工作温度:175°C（）

供应EGP10D-E3/73二极管 200V 1A

型号/规格:EGP10D-E3/73 品牌/商标:Vishay（威世） 封装形式:DO-41 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:盒带编带包装 功率特性:大功率 频率特性:高频 整流电流:1A 反向击穿电流:30A 批号:2018+ 数量:25600 单价:面议 工作温度范围:-65°C ~ 150°C

供应加速计LIS3DHTR贴片LQFN16

型号:LIS3DHTR 品牌:STMicroelectronics 封装:6-VFLGA 类型:数字传感器 加速度范围:±2g，4g，8g，16g 特性:可调带宽，可选量程，温度传感器 工作温度:-40°C ~ 85°C

供应整流器二极管STTH4R02B-TR

型号/规格:STTH4R02B-TR 品牌/商标:ST（意法半导体） 封装形式:TO-252-3 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特性:中功率 频率特性:高频 整流电流:4AA 反向击穿电流:70 A

供应STM32F103VET6 MCU储存器 贴片LQFP100

型号:STM32F103VET6 品牌:ST 批号:2018+ 封装:LQFP100 系列:STM32F1 尺寸:32-位 程序存储容量:512KB（512K x 8） RAM 容量:64K x 8 工作温度:-40°C ~ 85° 封装尺寸:100-LQFP（14x14）

供应SMBJ58A-E3 瞬态电压抑制器 贴片SMB

型号/规格:SMBJ58A-E3/52 品牌/商标:Vishay（威世） 封装形式:SMB 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:盒带编带包装 功率特性:大功率 频率特性:超高频 整流电流:93.6VA 反向电压:58VV

供应STM32F103RGT7 FLASH 储存器

型号:STM32F103RGT7 品牌:STMicroelectronics 类型:MCU控制器 批号:2018+ 封装:LQFP64 单价:面议 处理器:ARM® Cortex®-M3 尺寸:32位 速度:72MHz 程序存储容量:1MB（1M x 8） RAM 容量:96K x 8 工作温度范围:-40°C ~ 105°C

供应STM32F103RBT6微控制器

型号:STM32F103RBT6 品牌:ST 尺寸:32位 批号:2018+ 数量:58600 单价:面议 速度:72MHz 存储容量:128KB（128K x 8） 电源电压工作:2 V ~ 3.6 V 工作温度范围:-40°C ~ 85°C 封装:LQF64