深圳市勤思达科技有限公司

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三极管2SJ449 J449 TO-220F封装 NEC
三极管2SJ449 J449 TO-220F封装 NEC
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三极管2SJ449 J449 TO-220F封装 NEC

型号/规格:

2SJ449

品牌/商标:

RENESAS(瑞萨)

封装形式:

TO-220F

环保类别:

无铅环保型

安装方式:

直插式

包装方式:

散装

功率特征:

超大功率

PDF资料:

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产品信息

型号:2SJ449

品牌:NEC

类型:MOS管

封装:TO-220F

数量:10000

单价:面议

备注:全新原装,现货供应。


2SJ494 NEC原装
2SJ493 NEC原装
2SK3714 NEC原装
2SK3305 NEC原装
2SK3325-AZ NEC原装
2SK3659 NEC原装
2SK3061 NEC原装
2SK3114 NEC原装
2SA1442 NEC原装
2SA1156 NEC原装
2SC4553 NEC原装
2SB772 NEC原装
2SK1290 NEC原装
2SK2141 NEC原装
2SK2488 NEC原装
2SK2461 NEC原装
2SK1796 NEC原装
2SK2372 NEC原装
2SK2370 NEC原装
2SK2369 NEC原装

The 2SJ449 is P-Channel MOS Field Effect Transistor designed

for high voltage switching applications.

FEATURES

• Low On-Resistance

RDS(on) = 0.8 Ω MAX. (@ VGS = –10 V, ID = –3.0 A)

• Low Ciss Ciss = 1040 pF TYP.

• High Avalanche Capability Ratings

• Isolated TO-220 Package

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 ˚C)

Drain to Source Voltage VDSS –250 V

Gate to Source Voltage VGSS m30 V

Drain Current (DC) ID(DC) m6.0 A

Drain Current (pulse)* ID(pulse) m24 A

Total Power Dissipation (Tc = 25 ˚C) PT1 35 W

Total Power Dissipation (TA = 25 ˚C) PT2 2.0 W

Channel Temperature Tch 150 ˚C

Storage Temperature Tstg –55 to +150 ˚C

Single Avalanche Current** IAS –6.0 A

Single Avalanche Energy** EAS 180 mJ

* PW ≤ 10 μs, Duty Cycle ≤ 1 %

** Starting Tch = 25 ˚C, RG = 25 Ω, VGS = –20 V → 0





三极管2SJ449 J449 TO-220F封装 NEC

三极管2SJ449 J449 TO-220F封装 NEC

三极管2SJ449 J449 TO-220F封装 NEC