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朱亮成 
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| 标准包装： | 50 |
| 类别： | 分立式导体产品 |
| 家庭： | FET - 单 |
| 系列： | - |
| 包装： | 散装 |
| FET 类型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能： | 标准 |
| 漏源极电压 (Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）： | 22A （Tc） |
| 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（值）： | 62 毫欧 @ 11A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（值）： | 4.5V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)： | - |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)： | 3177pF @ 25V |
| 功率 - 值： | 40W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 整包 |
| 供应商器件封装： | TO-220D-A1 |
| 产品目录页面： | 1487 (CN2011-ZH PDF) |
N沟道功率MOSFET 2SK389 2SJ109音频放大器
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