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深圳市勤思达科技有限公司
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产品信息
类别：分离式半导体产品
家庭：晶体管(BJT) - 单路
系列：-
晶体管类型：NPN
电流 - 集电极 (Ic)（）：16A
电压 - 集电极发射极击穿（）：250V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度（）：4V @ 3.2A，16A
电流 - 集电极截止（）：100μA
在某 Ic、Vce 时的直流电流增益 (hFE)：25 @ 8A，5V
功率 - ：250W
频率 - 转换：4MHz
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-204AA，TO-3
供应商设备封装：TO-3
包装：托盘
其它名称：MJ21194GOS
标准包装：100
批号：2013+
备注：MJ21193 （ PNP ）和MJ21194 （ NPN ）利用穿孔Emitter技术和专门用于高功率音频输出而设计，磁头定位器和线性应用。
特点
•总谐波失真特点
•高直流电流增益−hFE= 25分钟@我C= 8 ADC
•出色的增益线性度
•高SOA ： 2.5 A ， 80 V， 1秒
•无铅包可用
家庭：晶体管(BJT) - 单路
系列：-
晶体管类型：NPN
电流 - 集电极 (Ic)（）：16A
电压 - 集电极发射极击穿（）：250V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度（）：4V @ 3.2A，16A
电流 - 集电极截止（）：100μA
在某 Ic、Vce 时的直流电流增益 (hFE)：25 @ 8A，5V
功率 - ：250W
频率 - 转换：4MHz
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-204AA，TO-3
供应商设备封装：TO-3
包装：托盘
其它名称：MJ21194GOS
标准包装：100
批号：2013+
备注：MJ21193 （ PNP ）和MJ21194 （ NPN ）利用穿孔Emitter技术和专门用于高功率音频输出而设计，磁头定位器和线性应用。
特点
•总谐波失真特点
•高直流电流增益−hFE= 25分钟@我C= 8 ADC
•出色的增益线性度
•高SOA ： 2.5 A ， 80 V， 1秒
•无铅包可用