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深圳市勤思达科技有限公司
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产品信息
家庭：晶体管(BJT) - 单路
系列：-
晶体管类型：NPN
电流 - 集电极 (Ic)（）：3A
电压 - 集电极发射极击穿（）：80V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度（）：1.7V @ 600mA，3A
电流 - 集电极截止（）：-
在某 Ic、Vce 时的直流电流增益 (hFE)：50 @ 100mA，1V
功率 - ：12.5W
频率 - 转换：50MHz
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-225AA，TO-126-3
供应商设备封装：TO225AA
包装：散装
其它名称：MJE182GOS
标准包装：500
备注：MJE182G/MJE172G是专为低功耗音频放大器和低电流，高速开关应用。
The MJE170/180 series is designed for low power audio amplifier
and low current, high speed switching applications.
Features
• High DC Current Gain
• High Current−Gain − Bandwidth Product
• Annular Construction for Low Leakages
• Epoxy Meets UL 94 V−0 @ 0.125 in
• These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant*
MJE170G, MJE171G, MJE172G (PNP), MJE180G, MJE181G, MJE182G (NPN)
The data of Figures 5 and 6 is based on TJ(pk) = 150°C; TC
is variable depending on conditions. Second breakdown
pulse limits are valid for duty cycles to 10% provided
TJ(pk) < 150°C. TJ(pk) may be calculated from the data in
Figure 4. At high case temperature, thermal limitations will
reduce the power that can be handled to values less than the
limitations imposed by second breakdown.
MJE170G, MJE171G, MJE172G (PNP), MJE180G, MJE181G, MJE182G (NPN)
