PNP达林顿功率晶体管MJ11015 30A 120V_深圳市勤思达科技有限公司

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深圳市勤思达科技有限公司

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营业执照：已审核

经营模式：贸易/代理/分销

所在地区：广东深圳

企业网站：
http://qsd.dzsc.com

产品分类

供应PNP达林顿功率晶体管MJ11015 30A 120V

型号/规格：

MJ11015

品牌/商标：

ON（安森美）

封装形式：

TO-3P

环保类别：

无铅环保型

安装方式：

直插式

包装方式：

散装

功率特性：

大功率

频率特性：

高频

极性：

PNP型

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询价

产品信息

厂家：ISC [Inchange Semiconductor Company Limited]
描述：isc Silicon PNP Darlington Power Transistor
制造商：ON Semiconductor
产品种类：Transistors Darlington
配置：Single
晶体管极性：PNP
集电极—发射极电压 VCEO：120 V
发射极 - 基极电压 VEBO：5 V
集电极—基极电压 VCBO：120 V
直流电集电极电流：30 A
功率耗散：200 W
工作温度：+ 150 C
安装风格：Through Hole
封装 / 箱体：TO-204-2 (TO-3)
封装：Tray
集电极连续电流：30 A
直流集电极/Base Gain hfe Min：200, 1000
工作温度：- 55 C
工厂包装数量：100
标准包装：500
备注：MJ11015用作互补通用输出设备放大器应用。

特点：
•用作互补通用输出设备放大器应用
•高直流电流增益 -hFE= 1000 （值） @我C- 20 ADC
•整体结构与内置的基极发射极分流电阻器

•结温为+ 200_C

High-Current

Complementary Silicon

Transistors

. . . for use as output devices in complementary general purpose

amplifier applications.

• High DC Current Gain −

hFE = 1000 (Min) @ IC − 20 Adc

• Monolithic Construction with Built−in Base Emitter Shunt

Resistor

• Junction Temperature to +200C

MJ11012 TO−3 100 Units/Tray

MJ11012G TO−3

(Pb−Free)

100 Units/Tray

COLLECTOR

CASEBASE

1EMITTER 2

COLLECTORCASEBASE1

EMITTER 2

NPN PNP

MJ11016

MJ11015

MJ11012

Preferred devices are recommended choices for future useand best overall value.

MJ11015 TO−3 100 Units/Tray

MJ11015G TO−3(Pb−Free)100 Units/Tray

MJ11016 TO−3 100 Units/Tray

MJ11016G TO−3(Pb−Free)100 Units/Tray

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电源IC(118)

半导体存储器(45)

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