功率晶体管 MJE3055T NPN Gen Pur Switch_深圳市勤思达科技有限公司

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营业执照：已审核

经营模式：贸易/代理/分销

所在地区：广东深圳

企业网站：
http://qsd.dzsc.com

产品分类

功率晶体管 MJE3055T NPN Gen Pur Switch

型号/规格：

MJE3055T

品牌/商标：

ON（安森美）

封装形式：

TO-220

环保类别：

无铅环保型

安装方式：

直插式

包装方式：

散装

功率特性：

大功率

频率特性：

高频

极性：

NPN型

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产品信息

厂家：ISC [Inchange Semiconductor Company Limited]
描述：isc Silicon NPN Power Transistor
类别：分离式半导体产品
家庭：晶体管(BJT) - 单路
系列：-
晶体管类型：NPN
电流 - 集电极 (Ic)（）：10A
电压 - 集电极发射极击穿（）：60V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度（）：8V @ 3.3A，10A
电流 - 集电极截止（）：700μA
在某 Ic、Vce 时的直流电流增益 (hFE)：20 @ 4A，4V
功率 - ：75W
频率 - 转换：2MHz
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-220-3
供应商设备封装：TO-220AB
包装：管件
其它名称：MJE3055TOS
标准包装：50
备注：MJE3055T 主要设计用于通用放大器使用，开关应用。

■ STMicroelectronics PREFERRED

SALESTYPES

■ COMPLEMENTARY PNP - NPN DEVICES

DESCRIPTION

The MJE3055T is a silicon Epitaxial-Base NPN

transistor in Jedec TO-220 package. It is

intended for power switching circuits and

general-purpose amplifiers. The complementary

PNP type is MJE2955T.

VCEO Collector-Emitter Voltage (IB = 0) 60 V

VCBO Collector-Base Voltage (IE = 0) 70 V

VEBO Emitter-Base Voltage (IC = 0) 5 V

IC Collector Current 10 A

IB Base Current 6 A

Ptot Total Power Dissipation at Tcase ≤ 25 oC 75 W

Tstg Storage Temperature -55 to 150 oC

Tj Max. Operating Junction Temperature 150 oC

MJE3055T MJE3055T

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