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深圳市勤思达科技有限公司
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产品信息
厂家：ISC [Inchange Semiconductor Company Limited]
描述：isc Silicon NPN Power Transistor
类别：分离式半导体产品
家庭：晶体管(BJT) - 单路
系列：-
晶体管类型：NPN
电流 - 集电极 (Ic)（）：10A
电压 - 集电极发射极击穿（）：60V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度（）：8V @ 3.3A，10A
电流 - 集电极截止（）：700μA
在某 Ic、Vce 时的直流电流增益 (hFE)：20 @ 4A，4V
功率 - ：75W
频率 - 转换：2MHz
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-220-3
供应商设备封装：TO-220AB
包装：管件
其它名称：MJE3055TOS
标准包装：50
备注：MJE3055T 主要设计用于通用放大器使用，开关应用。
描述：isc Silicon NPN Power Transistor
类别：分离式半导体产品
家庭：晶体管(BJT) - 单路
系列：-
晶体管类型：NPN
电流 - 集电极 (Ic)（）：10A
电压 - 集电极发射极击穿（）：60V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度（）：8V @ 3.3A，10A
电流 - 集电极截止（）：700μA
在某 Ic、Vce 时的直流电流增益 (hFE)：20 @ 4A，4V
功率 - ：75W
频率 - 转换：2MHz
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-220-3
供应商设备封装：TO-220AB
包装：管件
其它名称：MJE3055TOS
标准包装：50
备注：MJE3055T 主要设计用于通用放大器使用，开关应用。
■ STMicroelectronics PREFERRED
SALESTYPES
■ COMPLEMENTARY PNP - NPN DEVICES
DESCRIPTION
The MJE3055T is a silicon Epitaxial-Base NPN
transistor in Jedec TO-220 package. It is
intended for power switching circuits and
general-purpose amplifiers. The complementary
PNP type is MJE2955T.
VCEO Collector-Emitter Voltage (IB = 0) 60 V
VCBO Collector-Base Voltage (IE = 0) 70 V
VEBO Emitter-Base Voltage (IC = 0) 5 V
IC Collector Current 10 A
IB Base Current 6 A
Ptot Total Power Dissipation at Tcase ≤ 25 oC 75 W
Tstg Storage Temperature -55 to 150 oC
Tj Max. Operating Junction Temperature 150 oC
MJE3055T MJE3055T