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深圳市勤思达科技有限公司
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产品信息
型号：MJW21193
品牌：ON
厂家：ONSEMI [ON Semiconductor]
描述：Silicon Power Transistors
类别：分离式半导体产品
家庭：晶体管(BJT) - 单路
系列：-
晶体管类型：PNP
电流 - 集电极 (Ic)（）：16A
电压 - 集电极发射极击穿（）：250V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度（）：4V @ 3.2A，16A
电流 - 集电极截止（）：100μA
在某 Ic、Vce 时的直流电流增益 (hFE)：20 @ 8A，5V
功率 - ：200W
频率 - 转换：4MHz
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-247-3
供应商设备封装：TO-247
包装：管件
其它名称：MJW21193OS
标准包装：30
封装：TO-247
MJW21193描述：
MJW21193和MJW21194利用穿孔发射技术和专门用于高功率音频输出而设计，磁头定位器和线性应用。。
特点
•总谐波失真特点
•高直流电流增益−hFE= 20分钟@我C= 8 ADC
•出色的增益线性度
•高SOA ： 2.25 A， 80 V， 1秒
品牌：ON
厂家：ONSEMI [ON Semiconductor]
描述：Silicon Power Transistors
类别：分离式半导体产品
家庭：晶体管(BJT) - 单路
系列：-
晶体管类型：PNP
电流 - 集电极 (Ic)（）：16A
电压 - 集电极发射极击穿（）：250V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度（）：4V @ 3.2A，16A
电流 - 集电极截止（）：100μA
在某 Ic、Vce 时的直流电流增益 (hFE)：20 @ 8A，5V
功率 - ：200W
频率 - 转换：4MHz
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-247-3
供应商设备封装：TO-247
包装：管件
其它名称：MJW21193OS
标准包装：30
封装：TO-247
MJW21193描述：
MJW21193和MJW21194利用穿孔发射技术和专门用于高功率音频输出而设计，磁头定位器和线性应用。。
特点
•总谐波失真特点
•高直流电流增益−hFE= 20分钟@我C= 8 ADC
•出色的增益线性度
•高SOA ： 2.25 A， 80 V， 1秒
•无铅包可用
MJW21193 (PNP) MJW21194 (NPN)
MJW21193 (PNP)
MJW21194 (NPN)
Silicon Power Transistors
The MJW21193 and MJW21194 utilize Perforated Emitter
technology and are specifically designed for high power audio output,
disk head positioners and linear applications.
Features
• Total Harmonic Distortion Characterized
• High DC Current Gain −
hFE = 20 Min @ IC = 8 Adc
• Excellent Gain Linearity
• High SOA: 2.25 A, 80 V, 1 Second
• Pb−Free Packages are Available
