- 非IC关键词
深圳市勤思达科技有限公司
- 卖家积分：
营业执照：已审核经营模式：贸易/代理/分销所在地区：广东 深圳企业网站：
http://qsd.dzsc.com
收藏本公司 人气：1211354
企业档案
- 相关证件：
- 会员类型：
- 会员年限：14年
- 朱亮成
- 电话：0755-83264115
- 手机：15889758566
- 18948336722
- 电话：0755-82710921
- 手机：13714022780
- 阿库IM：
- 地址：深圳市福田区华强北赛格科技园四栋中12楼A4座—2L
- 传真：0755-83955172
- E-mail：1282971461@qq.com
您的当前位置：深圳市勤思达科技有限公司 > 元器件产品
询价相关产品
产品信息
型号：MJE253
品牌：ON
描述：isc Silicon PNP Power Transistor
制造商：ON Semiconductor
产品种类：Transistors Bipolar (BJT)
晶体管极性：PNP
集电极—发射极电压 VCEO：100 V
发射极 - 基极电压 VEBO：7 V
直流电集电极电流：4 A
直流集电极/Base Gain hfe Min：40
配置：Single
工作频率：40 MHz
工作温度：+ 150 C
安装风格：Through Hole
封装 / 箱体：TO-225-3
封装：Bulk
集电极连续电流：4 A
工作温度：- 65 C
功率耗散：15 W
工厂包装数量：500
标准包装：25
封装：TO-92
MJE253描述：
品牌：ON
描述：isc Silicon PNP Power Transistor
制造商：ON Semiconductor
产品种类：Transistors Bipolar (BJT)
晶体管极性：PNP
集电极—发射极电压 VCEO：100 V
发射极 - 基极电压 VEBO：7 V
直流电集电极电流：4 A
直流集电极/Base Gain hfe Min：40
配置：Single
工作频率：40 MHz
工作温度：+ 150 C
安装风格：Through Hole
封装 / 箱体：TO-225-3
封装：Bulk
集电极连续电流：4 A
工作温度：- 65 C
功率耗散：15 W
工厂包装数量：500
标准包装：25
封装：TO-92
MJE253描述：
MJE253和MJE243专为低功耗音频放大器和低电流，高速开关应用
MJE243G (NPN),
MJE253G(PNP)
Complementary Silicon
Power Plastic Transistors
These devices are designed for low power audio amplifier and
low−current, high−speed switching applications.
Features
• High Collector−Emitter Sustaining Voltage
• High DC Current Gain
• Low Collector−Emitter Saturation Voltage
• High Current Gain Bandwidth Product
• Annular Construction for Low Leakages
• These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant*
