深圳市勤思达科技有限公司

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供应 IRF9530NPBF  TO-220  MOSFET P 通道
供应 IRF9530NPBF  TO-220  MOSFET P 通道
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供应 IRF9530NPBF TO-220 MOSFET P 通道

型号/规格:

IRF9530NPBF

品牌/商标:

IR

封装形式:

TO-220

环保类别:

无铅环保型

安装方式:

直插式

包装方式:

功率特征:

中功率

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产品信息

型号:IRF9530NPBF IRF9530NPBF IRF9530NPBF

厂家:International Rectifier

标准包装:50
类别:分离式半导体产品
家庭:FET -
系列:HEXFET®
FET
型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET
特点:标准型
漏极至源极电压(Vdss)100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C14A
开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C200 毫欧 @ 8.4A10V
Id
时的 Vgs(th)():4V @ 250μA
闸电荷(Qg) @ Vgs58nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds760pF @ 25V
功率 - 79W
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-220-3
供应商设备封装:TO-220AB
包装:管件
其它名称:*IRF9530NPBF

描述: MOSFET, P, -100V, -14A, TO-220; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:13A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):200mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs Typ:-4V; Transistor Case Style:TO-220AB; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Current Id Max:-14A; Current Temperature:25°C; Device Marking:IRF9530N; Full Power Rating Temperature:25°C; Junction to Case Thermal Resistance A:1.9°C/W; Lead Spacing:2.54mm; No. of Transistors:1; Package / Case:TO-220AB; Pin Configuration:a; Pin Format:1 g; 2 d/tab; 3 s; Power Dissipation Pd:75W; Pulse...