深圳市勤思达科技有限公司

型号：IRF5210STRLPBF IRF5210STRLPBF IRF5210STRLPBF

厂家：IR
类别：分离式半导体产品
家庭：FET - 单
系列：HEXFET®
FET 型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点：标准型
漏极至源极电压(Vdss)：100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：38A
开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C：60 毫欧 @ 38A，10V
Id 时的 Vgs(th)（）：4V @ 250μA
闸电荷(Qg) @ Vgs：230nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds：2780pF @ 25V
功率 - ：3.1W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商设备封装：D2PAK
包装：带卷 (TR)
其它名称：IRF5210STRLPBF-NDIRF5210STRLPBFTR

标准包装：800

数量：11500

Advanced Process Technology

Ultra Low On-Resistance

150°C Operating Temperature

Fast Switching

Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax

Some Parameters are Different from

IRF5210S/L

P-Channel

Lead-Free



Features of this design are a 150°C junction

operating temperature, fast switching speed and

improved repetitive avalanche rating . These features

combine to make this design an extremely

efficient and reliable device for use in a wide

variety of other applications.

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