深圳市勤思达科技有限公司

14年

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供应IRF740PBF MOSFET N-CH 400V HEXFET MOSFET
供应IRF740PBF MOSFET N-CH 400V HEXFET MOSFET
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供应IRF740PBF MOSFET N-CH 400V HEXFET MOSFET

型号/规格:

IRF740PBF

品牌/商标:

IR

封装形式:

TO-220

环保类别:

无铅环保型

安装方式:

直插式

包装方式:

散装

功率特征:

中功率

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产品信息

型号:IRF740PBF
厂家:IRF [International Rectifier]
描述:HEXFET POWER MOSFET
类别:分离式半导体产品
家庭:FET - 单
系列:-
FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:标准型
漏极至源极电压(Vdss):400V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:10A
开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C:550 毫欧 @ 6A,10V
Id 时的 Vgs(th)():4V @ 250μA
闸电荷(Qg) @ Vgs:63nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:1400pF @ 25V
功率 - :125W
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-220-3
供应商设备封装:TO-220AB
包装:管件
 标准包装:1,000

其它名称:*IRF740PBF

FEATURES

• Dynamic dV/dt Rating

• Repetitive Avalanche Rated

• Fast Switching

• Ease of Paralleling

• Simple Drive Requirements

• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

DESCRIPTION

Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, low on-resistance and

cost-effectiveness.

The TO-220AB package is universally preferred for all

commercial-industrial applications at power dissipation

levels to approximately 50 W. The low thermal resistance

and low package cost of the TO-220AB contribute to its

wide acceptance throughout the industry.

VDS (V) 400

RDS(on) (Ω) VGS = 10 V 0.55

Qg (Max.) (nC) 63

Qgs (nC) 9.0

Qgd (nC) 32

Configuration Single

IRF740PBF IRF740PBF IRF740PBF

备注:深圳市勤思达科技有限公司主营音响系列IGBT晶体管,MOS管,功率对管,授权分销,品质保证,现货库存热卖IRF740PBF,原装,长期有货,欢迎广大客户朋友咨询洽谈。