- 非IC关键词
深圳市勤思达科技有限公司
- 卖家积分：
营业执照：已审核经营模式：贸易/代理/分销所在地区：广东 深圳企业网站：
http://qsd.dzsc.com
收藏本公司 人气：1214668
企业档案
- 相关证件：
- 会员类型：
- 会员年限：14年
- 朱亮成
- 电话：0755-83264115
- 手机：15889758566
- 18948336722
- 电话：0755-82710921
- 手机：13714022780
- 阿库IM：
- 地址：深圳市福田区华强北赛格科技园四栋中12楼A4座—2L
- 传真：0755-83955172
- E-mail：1282971461@qq.com
您的当前位置：深圳市勤思达科技有限公司 > 元器件产品
询价相关产品
产品信息
型号：IRF640NPBF MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC
厂家：IRF [International Rectifier]
类别：分离式半导体产品
家庭：FET - 单 IRF640NPBF IRF640NPBF IRF640NPBF
系列：HEXFET®
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：标准型
漏极至源极电压(Vdss)：200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：18A
开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C：150 毫欧 @ 11A，10V
Id 时的 Vgs(th)（）：4V @ 250μA
闸电荷(Qg) @ Vgs：67nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds：1160pF @ 25V
功率 - ：150W
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-220-3
供应商设备封装：TO-220AB
包装：管件
其它名称：*IRF640N
标准包装：50
厂家：IRF [International Rectifier]
类别：分离式半导体产品
家庭：FET - 单 IRF640NPBF IRF640NPBF IRF640NPBF
系列：HEXFET®
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：标准型
漏极至源极电压(Vdss)：200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：18A
开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C：150 毫欧 @ 11A，10V
Id 时的 Vgs(th)（）：4V @ 250μA
闸电荷(Qg) @ Vgs：67nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds：1160pF @ 25V
功率 - ：150W
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-220-3
供应商设备封装：TO-220AB
包装：管件
其它名称：*IRF640N
标准包装：50
MOS管，功率对管，授权分销，品质保证，现货库存热卖IRF640NPBF，原装，长期有货，欢迎广大客户朋友咨询洽谈。
