深圳市勤思达科技有限公司

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供应STB3NK60ZT4 MOSFET N通道 600V
供应STB3NK60ZT4 MOSFET N通道 600V
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供应STB3NK60ZT4 MOSFET N通道 600V

型号/规格:

STB3NK60ZT4

品牌/商标:

ST(意法半导体)

封装形式:

TO-263

环保类别:

无铅环保型

安装方式:

贴片式

包装方式:

卷带编带包装

功率特征:

大功率

批号:

2017+

数量:

58000

单价:

面议

FET 类型:

N 沟道

PDF资料:

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产品信息

型号:STB3NK60ZT4

品牌:STMicroelectronics

描述:分立式半导体 晶体管MOSFET

MOSFET N通道 600V 2.4A D2PAK贴片 功率45 W

产品种类:MOSFET

系列:STB3NK60Z

供应商标准封装:D2PAK

封装:Reel/卷盘

下降时间:14 ns

正向跨导 - 值:1.8 S

导通电阻:3.6 Ohms

工作温度:+ 150 C

安装风格:SMD/SMT/贴片

工作温度:- 55 C

晶体管极性:N 通道

汲极/源极击穿电压:600 V

闸/源击穿电压:+/- 30 V

漏极连续电流:2.4 A

功率耗散:45 W

上升时间:14 ns

工厂包装数量:1000

价格: 面议

数量:18960

备注:深圳市勤思达科技有限公司长期供应 STB3NK60ZT4

原装,厂家直销品质保证,欢迎广大客户朋友咨询谈。


MOSFET 分类

场效应管分结型、绝缘栅型两大类。结型场效应管(JFET)因有两个PN结而得名,绝缘栅型场效应管(JGFET)则因栅极与其它电极完整绝缘而得名。目前在绝缘栅型场效应管中,应用为普遍的是MOS场效应管,简称MOS管(即金属-氧化物-半导体场效应管MOSFET);此外还有PMOS、NMOS和VMOS功率场效应管,以及近刚问世的πMOS场效应管、VMOS功率模块等。