型号:TP0610K-T1-GE3
品牌:Vishay Semiconductors
描述:分立式半导体 P沟道60 VMOSFET
MOSFET 60V 0.185A 350mW功率 10ohm @ 4.5V
产品种类:MOSFET
晶体管极性:P通道
汲极/源极击穿电压:60 V
闸/源击穿电压:+/- 20 V
漏极连续电流:185 mA
导通电阻:6 Ohms
工作温度:+ 150 C
供应商标准封装:TO-236
封装类型:Reel/卷盘
工作温度:- 55 C
功率耗散:350 mW
工厂包装数量:3000
其它名称:TP0610K-GE3
价格: 面议
数量:18960
备注:深圳市勤思达科技有限公司长期供应晶体MOS管TP0610K-T1-GE3
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