深圳市勤思达科技有限公司

14年

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供应TP0610K-T1-GE3 P沟道MOSFET
供应TP0610K-T1-GE3 P沟道MOSFET
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供应TP0610K-T1-GE3 P沟道MOSFET

型号/规格:

TP0610K-T1-GE3

品牌/商标:

Vishay Semiconductors

封装形式:

SOT-23

环保类别:

无铅环保型

安装方式:

贴片式

包装方式:

卷带编带包装

功率特征:

大功率

种类:

场效应管

批号:

2018+

数量:

98500

单价:

面议

PDF资料:

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产品信息

型号:TP0610K-T1-GE3

品牌:Vishay Semiconductors

描述:分立式半导体 P沟道60 VMOSFET

MOSFET 60V 0.185A 350mW功率  10ohm @ 4.5V

产品种类:MOSFET

晶体管极性:P通道

汲极/源极击穿电压:60 V

闸/源击穿电压:+/- 20 V

漏极连续电流:185 mA

导通电阻:6 Ohms

工作温度:+ 150 C

供应商标准封装:TO-236

封装类型:Reel/卷盘

工作温度:- 55 C

功率耗散:350 mW

工厂包装数量:3000

其它名称:TP0610K-GE3

价格: 面议

数量:18960

备注:深圳市勤思达科技有限公司长期供应晶体MOS管TP0610K-T1-GE3

原装,厂家直销品质保证,欢迎广大客户朋友咨询谈。