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13年
企业信息

深圳市勤思达科技有限公司

卖家积分:23001分-24000分

营业执照:已审核

经营模式:贸易/代理/分销

所在地区:广东 深圳

企业网站:
http://qsd.dzsc.com

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产品分类
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元器件产品

SI2337DS-T1-GE3 晶体MOSFET P通道

型号/规格:SI2337DS-T1-GE3 品牌/商标:Vishay / Siliconix 封装形式:SOT-23 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:小功率 批号:2017 数量:37800 单价:面议 FET 类型:P通道 Vdss:80V Id:2.2A(Tc) 功率耗散:760mW 正常工作温度:-50°C ~ 150°C(TJ)

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供应SI2315BDS-T1-E3贴片MOSFET

型号/规格:SI2315BDS-T1-E3 品牌/商标:Vishay Siliconix 封装形式:SOT-23 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:大功率 批号:2017+ 数量:15800 单价:面议 功率:750 mW FET 类型:P通道 漏源电压(Vdss):12V

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供应SI7858ADP-T1-E3 晶体MOSFET 贴片QFN8

型号/规格:SI7858ADP-T1-E3 品牌/商标:Vishay / Siliconix 封装形式:QFN-8 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:盒带编带包装 功率特征:大功率 FET 类型:N沟道 批号:2017+ 数量:19860 单价:面议 漏源电压(Vdss):12V 电流:20A 工作温度范围:-55C ~ 150C

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供应双通道MOSFET晶体管SI4914BDY-T1-E3

型号/规格:SI4914BDY-T1-E3 品牌/商标:Vishay / Siliconix 封装形式:SOP-8 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:大功率 批号:2017+ 数量:198600 FET 类型:2个N通道 Vdss:30v 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装尺寸:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

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供应贴片MOSFET STB11NM80T4

型号/规格:STB11NM80T4 品牌/商标:ST 封装形式:TO-263 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:盒带编带包装 功率特征:大功率 批号:2017+ 单价:面议 数量:19860 FET 类型:N通道 漏源电压(Vdss):800V Id:11A 功耗:150W 正常工作温度:-65°C ~ 150°C

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供应商贴片MOSFET SI7178DP-T1-GE3 N通道

型号/规格:SI7178DP-T1-GE3 品牌/商标:Vishay Semiconductors 封装形式:QFN-8 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:大功率 批号:2017+ 数量:198500 单价:面议 FET 类型:N沟道 Vdss:100V 功耗:104W(Tc) 工作温度范围:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装尺寸:PowerPAK® SO-8

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供应TVS二极管P6KE36CA-E3 30.8V 49.9V

品牌:Vishay Semiconductors 型号:P6KE36CA-E3/54 数量:985200 单价:面议 类型:齐纳 功率 - 峰值脉冲:600W

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供应电压基准器TS2431AILT 贴片SOT23

型号/规格:TS2431AILT 品牌/商标:ST(意法半导体) 封装:SOT-23 批号:2017+ 单价:面议 产品类型:分流器 输出类型:可调 电压工作范围:2.5~24V 电流输出:100 mA 正常工作温度:-40°C ~ 105°C 容差:1%

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供应可控硅TYN625RG直插TOV

型号/规格:TYN625RG 品牌/商标:STMicroelectronics 种类:晶闸管 SCR 电压 断态:600V Vgt:1.3V It(AV):16A ItRMS:25A Ih:500Mh 批号:2018+ 数量:15600 单价:面议 工作温度范围:-40°C ~ 125°C

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供应STB20NM50贴片MOSFET TO-252 N通道

型号/规格:STB20NM50 品牌/商标:ST(意法半导体) 封装形式:TO-252-3 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:大功率 批号:2017+ 单价:面议 数量:15000 FET 类型 :N沟道 漏源电压(Vdss):550V 功耗:192W(Tc) 工作温度范围:-65°C ~ 150°C

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供应SI7110DN-T1-GE3 MOSFET 贴片QFN

型号/规格:SI7110DN-T1-GE3 品牌/商标:Vishay / Siliconix 封装形式:QFN 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:大功率 批号:2018+ 数量:50000 单价:面议 FET 类型:N通道 Vdss:20V 功率耗散:1.5W

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供应TL431ACDT SOT-23基准电压器

型号:TL431ACDT 品牌:ST 类型:基准电压器 封装:SOP8 参考类型:分流器 输出类型:可调式 电压 - 输出:2.495V 容差:1% 产品尺寸:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 正常工作温度范围:0°C ~ 70°C

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供应STB75NF75T4 D2PAK MOSFET ST原装进口

型号/规格:STB75NF75T4 品牌/商标:ST(意法半导体) 封装形式:TO-263 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:大功率 批号:2017+ 数量:185000 单价:面议 FET 类型:N通道 Vdss:75V 工作温度范围:-55°C ~ 175°C

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供应场效应管MOSFET IRF9540PBF

型号/规格:IRF9540PBF 品牌/商标:Vishay 封装形式:TO-220 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:大功率 批号:2017+ 数量:195800 单价:面议 FET 类型:P通道 Vdss:100V 工作温度范围:-55°C ~ 175°C

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供应M24C08-RMN6TP 储存器 TSSOP8

型号:M24C08-RMN6TP 种类:只读可编程储存器 批号:2018+ 数量:15800 单价:面议 存储器类型:非易失 存储容量:8Kb (1K x 8) 频率:400KHZ

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