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13年
企业信息

深圳市勤思达科技有限公司

卖家积分:23001分-24000分

营业执照:已审核

经营模式:贸易/代理/分销

所在地区:广东 深圳

企业网站:
http://qsd.dzsc.com

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元器件产品

供应TP0610K-T1-GE3 P沟道MOSFET

型号/规格:TP0610K-T1-GE3 品牌/商标:Vishay Semiconductors 封装形式:SOT-23 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:大功率 种类:场效应管 批号:2018+ 数量:98500 单价:面议 类型:P通道

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供应高压二极管整流器STTH310S 贴片SMC

型号/规格:STTH310S 品牌/商标:ST(意法半导体) 封装形式:SMC 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特性:大功率 频率特性:高频 整流电流:3AA 反向击穿电流:1000V 批号:2018+ 数量:50000 单价:面议 正常工作温度:-40°C ~ 175°C

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供应SI2333CDS-T1-GE3场效应管 SOT-23贴片

型号/规格:SI2333CDS-T1-GE3 品牌/商标:ST(意法半导体) 封装形式:SOT-23 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:大功率 FET 类型:P 沟道 漏源电压(Vdss):12V 功率耗散:2.5W 批号:2017+ 数量:189500 封装:SOT-23

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供应电压基准器 TL431AIDT 贴片sop8

型号/规格:TL431AIDT 品牌/商标:ST(意法半导体) 批号:2018+ 参考类型:分流器 输出类型:可调式 输出电压值:2.495V 电压值:36V 容差:1% 封装尺寸:8-SOIC(0.154 正常工作温度:-40°C ~ 105°C

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供应STB3NK60ZT4 MOSFET N通道 600V

型号/规格:STB3NK60ZT4 品牌/商标:ST(意法半导体) 封装形式:TO-263 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:大功率 批号:2017+ 数量:58000 单价:面议 FET 类型:N 沟道 功率:45W 工作温度范围:-55°C ~ 150°C

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供应STPS20L45CG-TR 肖特基二极管45V D2PAK

型号/规格:STPS20L45CG-TR 品牌/商标:ST(意法半导体) 封装形式:TO-263 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:盒带编带包装 功率特性:大功率 频率特性:高频 整流电流:180 AA 反向击穿电流:20 A 批号:2017+ 单价:面议 二极管类型:肖特基 工作温度:150°C 平均电流:10A

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供应ULN2003D1013TR达林顿晶体管 7NPN 1:1

型号/规格:ULN2003D1013TR 品牌/商标:ST(意法半导体) 封装形式:SOP-16 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特性:大功率 频率特性:高频 极性:NPN型 批号:2018 数量:25800 单价:面议 晶体管类型:7 NPN 达林顿 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装尺寸:16-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

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供应USBLC6-4SC TVS二极管 5.25V 17V

品牌:STMicroelectronics 封装:SOT-23 批号:2018+ 数量:195800 单向通道:4 工作温度范围:-40°C ~ 125°C 电压 - 击穿(值):6V 电压 - 箝位(值)@ Ipp:17V

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供应TS321ILT运算放大器 800KH 40 mA

型号/规格:TS321ILT 品牌/商标:ST(意法半导体) 批号:2018+ 数量:25600 单价:面议 放大类型:通用 电路数:1 增益带宽积:800kHz 工作温度:-40°C ~ 125°C

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供应TIP3055 两极晶体管 NPN TO-247封装

型号/规格:TIP3055 品牌/商标:ST(意法半导体) 封装形式:TO-247 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:散装 功率特性:大功率 频率特性:超高频 极性:NPN型

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供应TS3431ILT 电压基准器 ADJ 1.24V

型号:TS3431ILT 品牌:ST 批号:2017+ 数量:35800 单价:面议 封装:SOT-23 类型:分流器 输出类型:可调式 正常工作温度: -40°C ~ 125°C

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供应STF10N62K3 MOSFET 8.4A TO-220FP

型号/规格:STF10N62K3 品牌/商标:ST(意法半导体) 封装形式:TO-220F 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:散装 功率特征:大功率 FET 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):620V 批号:2017+ 价格:面议 工作温度范围: -55°C ~ 150°C

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供应STF10N62K3肖特基整流二极管

型号/规格:STF10N62K3 品牌/商标:ST(意法半导体) 封装形式:DO-201AD 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:卷带编带包装 功率特性:大功率 频率特性:高频 整流电流:3AA 反向击穿电流:150V 批号:2017+ 数量:298600 单价:面议 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向(Vr)(值):150V

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供应STTH110A整流二极管贴片SMA

型号/规格:STTH110A 品牌/商标:ST(意法半导体) 封装形式:SMA 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:盒带编带包装 功率特性:大功率 频率特性:高频 整流电流:1AA 反向击穿电流:1000V 批号:2017+ 数量:56200 单价:面议 电压 - DC 反向(Vr)(值):1000V

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供应ESDA6V1-5W6 整流二极管 6.1V 100W

型号/规格:ESDA6V1-5W6 品牌/商标:ST(意法半导体) 封装形式:SOT-363 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特性:大功率 频率特性:超高频 反向击穿电流:7.2 V 批号:2018+ 数量:19000 功率 - 峰值脉冲:100W 类型:齐纳二极管 正常工作温度:-40°C ~ 125°C

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