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深圳市勤思达科技有限公司
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产品信息
型号：MJ15015 MJ15015G MJ15015G
制造商：ON Semiconductor
产品种类：Transistors Bipolar (BJT)
晶体管极性：NPN
集电极—发射极电压 VCEO：120 V
发射极 - 基极电压 VEBO：7 V
直流电集电极电流：15 A
直流集电极/Base Gain hfe Min：10
配置：Single
工作频率：6 MHz
工作温度：+ 150 C
安装风格：Through Hole
封装 / 箱体：TO-204-2 (TO-3)
封装：Tray
集电极连续电流：15 A
工作温度：- 65 C
功率耗散：180 W
工厂包装数量：100
描述：这些PowerBaset互补型晶体管被设计为高功率音响，步进电机等线性应用。这些器件还可以在电源开关电路，如继电器或使用螺线管驱动器，直流 - 直流转换器，逆变器，或电感性负载需要更高的安全工作区比2N3055 。
制造商：ON Semiconductor
产品种类：Transistors Bipolar (BJT)
晶体管极性：NPN
集电极—发射极电压 VCEO：120 V
发射极 - 基极电压 VEBO：7 V
直流电集电极电流：15 A
直流集电极/Base Gain hfe Min：10
配置：Single
工作频率：6 MHz
工作温度：+ 150 C
安装风格：Through Hole
封装 / 箱体：TO-204-2 (TO-3)
封装：Tray
集电极连续电流：15 A
工作温度：- 65 C
功率耗散：180 W
工厂包装数量：100
描述：这些PowerBaset互补型晶体管被设计为高功率音响，步进电机等线性应用。这些器件还可以在电源开关电路，如继电器或使用螺线管驱动器，直流 - 直流转换器，逆变器，或电感性负载需要更高的安全工作区比2N3055 。
These PowerBase complementary transistors are designed for high
power audio, stepping motor and other linear applications. These
devices can also be used in power switching circuits such as relay or
solenoid drivers, dc−to−dc converters, inverters, or for inductive loads
requiring higher safe operating area than the 2N3055.
Features
• High Current−Gain − Bandwidth
• Safe Operating Area
• These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant*
2N3055AG (NPN), MJ15015G (NPN), MJ15016G (PNP)
2N3055AG (NPN), MJ15015G (NPN), MJ15016G (PNP)
