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深圳市勤思达科技有限公司
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询价
产品信息
制造商：ON
类别：分离式半导体产品
家庭：晶体管(BJT) - 单路
系列：-
晶体管类型：PNP
电流 - 集电极 (Ic)（）：500mA
电压 - 集电极发射极击穿（）：300V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度（）：500mV @ 2mA，20mA
电流 - 集电极截止（）：-
在某 Ic、Vce 时的直流电流增益 (hFE)：25 @ 30mA，10V
功率 - ：625mW
频率 - 转换：50MHz
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线
供应商设备封装：TO-92-3
包装：带盒（TB）
MAXIMUM RATINGS: (TA=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL MPSA92 MPSA93 UNITS
Collector-Base Voltage VCBO 300 200 V
Collector-Emitter Voltage VCEO 300 200 V
Emitter-Base Voltage VEBO 5.0 V
Continuous Collector Current IC 500 mA
Power Dissipation PD 625 mW
Power Dissipation (TC=25°C) PD 1.5 W
Operating and Storage Junction Temperature TJ, Tstg -65 to +150 °C
Thermal Resistance JA 200 °C/W
Thermal Resistance JC 83.3 °C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (TA=25°C) MPSA92 MPSA93
SYMBOL TEST CONDITIONS MIN MAX MIN MAX UNITSI
CBO VCB=200V - 250 - - nAI
CEO VCE=160V - - - 250 nAI
EBO VEB=3.0V - 100 - 100 nA
BVCBO IC=100μA 300 - 200 - V
BVCEO IC=1.0mA 300 - 200 - V
BVEBO IE=100μA 5.0 - 5.0 - V
VCE(SAT) IC=20mA, IB=2.0mA - 0.5 - 0.4 V
VBE(SAT) IC=20mA, IB=2.0mA - 0.9 - 0.9 V
hFE VCE=10V, IC=1.0mA 25 - 25 -
hFE VCE=10V, IC=10mA 40 - 40 -
hFE VCE=10V, IC=30mA 25 - 25 -f
T VCE=20V, IC=10mA, f=100MHz 50 - 50 - MHz
Cob VCB=20V, IE=0, f=1.0MHz - 6.0 - 8.0 pF
