深圳市勤思达科技有限公司

14年

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产品分类

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供应功率放大管2SC4793 TO-220F TOSHIBA
供应功率放大管2SC4793 TO-220F TOSHIBA
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供应功率放大管2SC4793 TO-220F TOSHIBA

型号/规格:

2SC4793

品牌/商标:

TOSHIBA(东芝)

封装形式:

TO-220F

环保类别:

无铅环保型

安装方式:

直插式

包装方式:

散装

功率特性:

大功率

频率特性:

高频

极性:

NPN型

PDF资料:

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产品信息

型号:2SC4793 2SC4793 2SC4793 2SC4793 2SC4793 2SC4793
厂家:TOSHIBA
描述:Silicon NPN Power Transistors 
类别:分离式半导体产品
家庭:晶体管(BJT) - 单路

晶体管类型:NPN
电流 - 集电极 (Ic)():1A
电压 - 集电极发射极击穿():230V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度():1.5V @ 50mA,500mA
电流 - 集电极截止():-
在某 Ic、Vce 时的直流电流增益 (hFE):100 @ 100mA,5V
功率 - :2W
频率 - 转换:100MHz
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-220-3 整包
供应商设备封装:TO-220NIS
包装:管件
标准包装:50
数量:11850

单价:面议

For Muting and Switching Applications

• High emitter-base voltage: VEBO = 25 V (min)

• High reverse hFE: Reverse hFE = 150 (typ.) (VCE = −2 V, IC = −4 mA)

• Low on resistance: RON = 1 Ω (typ.) (IB = 5 mA)

• High DC current gain: hFE = 200 to 1200

• Small package

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Characteristics Symbol Rating Unit

Collector-base voltage VCBO 50 V

Collector-emitter voltage VCEO 20 V

Emitter-base voltage VEBO 25 V

Collector current IC 300 mA

Base current IB 60 mA

Collector power dissipation PC 150 mW

Junction temperature Tj 125 °C

Storage temperature range Tstg −55 to 125 °C

Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high

temperature/current/voltage and the significant change in

temperature, etc.) may cause this product to decrease in the

reliability significantly even if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are

within the absolute maximum ratings.

Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook

(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test

report and estimated failure rate, etc)