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深圳市勤思达科技有限公司
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产品信息
型号：2SC3326-A 2SC3326-A 2SC3326-A
厂家：TOSHIBA
配置：Single
晶体管极性：NPN
集电极—基极电压 VCBO：50 V
集电极—发射极电压 VCEO：20 V
发射极 - 基极电压 VEBO：25 V
集电极—射极饱和电压：0.042 V
直流电集电极电流：300 mA
增益带宽产品fT： 30 MHz
集电极连续电流：300 mA
直流集电极/Base Gain hfe Min：200
直流电流增益 hFE 值：1200
功率耗散： 50 mW
封装：SOT-23
安装风格： SMD/SMT
厂家：TOSHIBA
配置：Single
晶体管极性：NPN
集电极—基极电压 VCBO：50 V
集电极—发射极电压 VCEO：20 V
发射极 - 基极电压 VEBO：25 V
集电极—射极饱和电压：0.042 V
直流电集电极电流：300 mA
增益带宽产品fT： 30 MHz
集电极连续电流：300 mA
直流集电极/Base Gain hfe Min：200
直流电流增益 hFE 值：1200
功率耗散： 50 mW
封装：SOT-23
安装风格： SMD/SMT
封装 / 箱体：SOT-346
High emitter-base voltage: VEBO = 25 V (min)
• High reverse hFE: Reverse hFE = 150 (typ.) (VCE = −2 V, IC = −4 mA)
• Low on resistance: RON = 1 Ω (typ.) (IB = 5 mA)
• High DC current gain: hFE = 200 to 1200
• Small package
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Characteristics Symbol Rating Unit
Collector-base voltage VCBO 50 V
Collector-emitter voltage VCEO 20 V
Emitter-base voltage VEBO 25 V
Collector current IC 300 mA
Base current IB 60 mA
Collector power dissipation PC 150 mW
Junction temperature Tj 125 °C
Storage temperature range Tstg −55 to 125 °C