深圳市勤思达科技有限公司

14年

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产品分类

集成电路(IC)(92)

电源IC(118)

半导体存储器(45)

二极管(49)

三极管(145)

场效应管MOSFET(105)

可控硅IGBT(9)

单片机(59)

电容器(1)

电阻器(1)

电感器(2)

电位器(1)

电源/稳压器(6)

微调电位器(1)

石英晶体器件(1)

连接器/接插件(3)

开关(3)

传感器(11)

保险丝(1)

变压器(3)

继电器(3)

逆变器(1)

放大器(52)

电声元件(1)

光电子/光纤/激光(6)

LED(1)

编码器(2)

其他未分类(17)

晶体管MJ21196 ,16A 250V 250W NPN
晶体管MJ21196 ,16A 250V 250W NPN
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晶体管MJ21196 ,16A 250V 250W NPN

型号/规格:

MJ21196

品牌/商标:

ON(安森美)

封装形式:

TO-3

环保类别:

无铅环保型

安装方式:

直插式

包装方式:

散装

功率特性:

大功率

频率特性:

高频

极性:

PNP型

PDF资料:

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产品信息

型号 MJ21196 MJ21196 MJ21196 MJ21196

制商:ON Semiconductor
产品种类:Transistors Bipolar (BJT)
晶体管极性:PNP
集电极发射极电压 VCEO250 V
发射极 - 基极电压 VEBO5 V
直流电集电极电流:16 A
直流集电极/Base Gain hfe Min25
配置:Single
工作频率:4 MHz
工作温度:+ 150 C
安装风格:Through Hole
封装 / 箱体:TO-204-2 (TO-3)
封装:Tray
集电极连续电流:16 A
工作温度:- 65 C
功率耗散:250 W

工厂包装数量:100


The MJ21195G and MJ21196G utilize Perforated Emitter

technology and are specifically designed for high power audio output,

disk head positioners and linear applications.

Features

• Total Harmonic Distortion Characterized

• High DC Current Gain

• Excellent Gain Linearity

• High SOA

• These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant*


Collector−Emitter Voltage VCEO 250 Vdc

Collector−Base Voltage VCBO 400 Vdc

Emitter−Base Voltage VEBO 5 Vdc

Collector−Emitter Voltage − 1.5V VCEX 400 Vdc

Collector Current − Continuous IC 16 Adc

Collector Current − Peak (Note 1) ICM 30 Adc

Base Current − Continuous IB 5 Adc

Total Device Dissipation @ TC = 25C

Derate above 25C

PD 250

1.43

W

W/C

Operating and Storage Junction

Temperature Range

TJ, Tstg −65 to +200 C