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深圳市勤思达科技有限公司
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IKW40N120H3第三代1200V IGBT晶体管
型号/规格:IKW40N120H3 品牌/商标:INFINEON（英飞凌） 封装 / 箱体:TO-247-3 集电极—发射极电压 VCEO:1200 V 栅极/发射极电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:80 A Pd-功率耗散:483 W 工作温度:- 40 C+ 175 C
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供应晶体管(BJT) BU208A TO-3封装 NPN
型号/规格:BU208A 品牌/商标:ST/意法 直流电集电极电流:8 A 作温度:- 65 C+ 175 C Pd-功率耗散:150 W 封装 / 箱体:TO-3
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供应可控硅TYN625RG直插TOV
型号/规格:TYN625RG 品牌/商标:STMicroelectronics 种类:晶闸管 SCR 电压 断态:600V Vgt:1.3V It（AV):16A ItRMS:25A Ih:500Mh 批号:2018+ 数量:15600 单价:面议 工作温度范围:-40°C ~ 125°C
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供应可控硅晶体管2N6028 ON原装进口2N6028
型号/规格:2N6028 品牌/商标:ON（安森美） 数量:50000 单价:面议
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供应MCR106-8G可控硅整流器反向阻断晶闸管
型号/规格:MCR106-8G 品牌/商标:ON（安森美） 封装:TO-126 批号:17 数量:30000 特点:高散热性和耐用性