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13年
企业信息

深圳市勤思达科技有限公司

卖家积分:22001分-23000分

营业执照:已审核

经营模式:贸易/代理/分销

所在地区:广东 深圳

企业网站:
http://qsd.dzsc.com

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产品分类
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元器件产品

供应场效应管SI9435BDY-T1-E3

型号/规格:SI9435BDY-T1-E3 品牌/商标:Vishay / Siliconix 封装形式:SOP-8 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:中功率

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供应STP3NK90Z TO-220 MOSFET

型号/规格:STP3NK90Z 品牌/商标:ST(意法半导体) 封装形式:TO-220 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:散装 功率特征:大功率

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IRF840PBF TO-220 MOSFET N通道

型号/规格:IRF840PBF 品牌/商标:Vishay / Siliconix 封装形式:TO-220 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:散装 功率特征:大功率 FEET类型:N通道

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STP55NF06晶体MOSFET N通道 TO-220F

型号/规格:STP55NF06 品牌/商标:ST(意法半导体) 封装形式:TO-220 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:散装 功率特征:大功率

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供应SI4972DY-T1-E3双N通道MOSFET

型号/规格:SI4972DY-T1-E3 品牌/商标:Vishay Siliconix 封装形式:SOT-23 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:小功率 批号:2017+ 数量:18900 单价:面议 FET类型:2 个 N 沟道(双) 漏源电压(Vdss):30V 功率耗散:3.1W,2.5W 工作温度范围:-55°C ~ 150°C(TJ)

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供应SI2316BDS-T1-E3 小功率MOSFET N沟道

型号/规格:SI2316BDS-T1-E3 品牌/商标:Vishay / Siliconix 封装形式:SOT-23 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:小功率 批号:2017 数量:36800 封装尺寸:SOT-23-3(TO-236 类型:N沟道 工作温度范围:-55°C ~ 150°C(TJ 漏源电压(Vdss):30V

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SI2337DS-T1-GE3 晶体MOSFET P通道

型号/规格:SI2337DS-T1-GE3 品牌/商标:Vishay / Siliconix 封装形式:SOT-23 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:小功率 批号:2017 数量:37800 单价:面议 FET 类型:P通道 Vdss:80V Id:2.2A(Tc) 功率耗散:760mW 正常工作温度:-50°C ~ 150°C(TJ)

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供应SI2315BDS-T1-E3贴片MOSFET

型号/规格:SI2315BDS-T1-E3 品牌/商标:Vishay Siliconix 封装形式:SOT-23 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:大功率 批号:2017+ 数量:15800 单价:面议 功率:750 mW FET 类型:P通道 漏源电压(Vdss):12V

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供应SI7858ADP-T1-E3 晶体MOSFET 贴片QFN8

型号/规格:SI7858ADP-T1-E3 品牌/商标:Vishay / Siliconix 封装形式:QFN-8 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:盒带编带包装 功率特征:大功率 FET 类型:N沟道 批号:2017+ 数量:19860 单价:面议 漏源电压(Vdss):12V 电流:20A 工作温度范围:-55C ~ 150C

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供应双通道MOSFET晶体管SI4914BDY-T1-E3

型号/规格:SI4914BDY-T1-E3 品牌/商标:Vishay / Siliconix 封装形式:SOP-8 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:大功率 批号:2017+ 数量:198600 FET 类型:2个N通道 Vdss:30v 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装尺寸:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

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供应贴片MOSFET STB11NM80T4

型号/规格:STB11NM80T4 品牌/商标:ST 封装形式:TO-263 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:盒带编带包装 功率特征:大功率 批号:2017+ 单价:面议 数量:19860 FET 类型:N通道 漏源电压(Vdss):800V Id:11A 功耗:150W 正常工作温度:-65°C ~ 150°C

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供应商贴片MOSFET SI7178DP-T1-GE3 N通道

型号/规格:SI7178DP-T1-GE3 品牌/商标:Vishay Semiconductors 封装形式:QFN-8 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:大功率 批号:2017+ 数量:198500 单价:面议 FET 类型:N沟道 Vdss:100V 功耗:104W(Tc) 工作温度范围:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装尺寸:PowerPAK® SO-8

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供应STB20NM50贴片MOSFET TO-252 N通道

型号/规格:STB20NM50 品牌/商标:ST(意法半导体) 封装形式:TO-252-3 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:大功率 批号:2017+ 单价:面议 数量:15000 FET 类型 :N沟道 漏源电压(Vdss):550V 功耗:192W(Tc) 工作温度范围:-65°C ~ 150°C

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供应SI7110DN-T1-GE3 MOSFET 贴片QFN

型号/规格:SI7110DN-T1-GE3 品牌/商标:Vishay / Siliconix 封装形式:QFN 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:大功率 批号:2018+ 数量:50000 单价:面议 FET 类型:N通道 Vdss:20V 功率耗散:1.5W

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供应STB75NF75T4 D2PAK MOSFET ST原装进口

型号/规格:STB75NF75T4 品牌/商标:ST(意法半导体) 封装形式:TO-263 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:大功率 批号:2017+ 数量:185000 单价:面议 FET 类型:N通道 Vdss:75V 工作温度范围:-55°C ~ 175°C

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