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朱亮成 
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型号/规格:IRF9540PBF 品牌/商标:Vishay 封装形式:TO-220 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:大功率 批号:2017+ 数量:195800 单价:面议 FET 类型:P通道 Vdss:100V 工作温度范围:-55°C ~ 175°C
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型号/规格:SI4936CDY-T1-E3 品牌/商标:Vishay / Siliconix 封装形式:SOP-8 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:小功率 批号:2018+ 数量:85030 FET 类型:2 个 N 沟道 漏源电压（Vdss）:30V 封装尺寸:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 工作温度范围:-55°C ~ 150°C
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型号/规格:STP9NK60ZFP 品牌/商标:ST（意法半导体） 封装形式:TO-220F 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:大功率 批号:2018+ 数量:19500 单价:面议 功率:30W（Tc） 工作温度范围:-55°C ~ 150°C FET 类型:N通道
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型号/规格:SI2312BDS-T1-GE3 品牌/商标:Vishay Siliconix 封装形式:SOT-23 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:小功率 晶体管类型:N通道 电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）:3.9A 功率:750mW 工作温度范围:-55°C ~ 150°C 单价:面议 批号:2018+
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型号/规格:SISA14DN-T1-GE3 品牌/商标:Vishay Semiconductors 封装形式:QFN 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:小功率 批号:2018+ 数量:58600 单价:面议 FET 类型:N通道 漏源电压（Vdss）:30V 工作温度范围:-55°C ~ 150°C
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型号/规格:TP0610K-T1-GE3 品牌/商标:Vishay Semiconductors 封装形式:SOT-23 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:大功率 种类:场效应管 批号:2018+ 数量:98500 单价:面议 类型:P通道
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型号/规格:SI2333CDS-T1-GE3 品牌/商标:ST（意法半导体） 封装形式:SOT-23 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:大功率 FET 类型:P 沟道 漏源电压（Vdss）:12V 功率耗散:2.5W 批号:2017+ 数量:189500 封装:SOT-23
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型号/规格:STB3NK60ZT4 品牌/商标:ST（意法半导体） 封装形式:TO-263 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:大功率 批号:2017+ 数量:58000 单价:面议 FET 类型:N 沟道 功率:45W 工作温度范围:-55°C ~ 150°C
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型号/规格:STF10N62K3 品牌/商标:ST（意法半导体） 封装形式:TO-220F 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:散装 功率特征:大功率 FET 类型:N沟道 漏源电压（Vdss）:620V 批号:2017+ 价格:面议 工作温度范围: -55°C ~ 150°C
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型号/规格:STW13NK100Z 品牌/商标:ST（意法半导体） 封装形式:TO-247 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:大功率 批号:2018+ 数量:29500 单价:面议 FET 类型:N沟道 （Vdss）:1000V 工作温度:-55°C ~ 150°c 类别:分立式半导体
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型号/规格:STF15NM65N 品牌/商标:ST（意法半导体） 封装形式:TO-220F 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:散装 功率特征:超大功率 FET 类型:N沟道 批号:2018+ 数量:15600 功率:30W
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型号/规格:STW48NM60N 品牌/商标:ST（意法半导体） 封装形式:TO-247 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:散装 功率特征:大功率 类型:MOSFET 通道:N通道 功率:255 W 批号:2018+ 数量:18650 单价:面议 工作温度范围:- 55 C to 150C
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型号/规格:STW26NM60N 品牌/商标:ST（意法半导体） 封装形式:TO-247 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:散装 功率特征:超大功率 生产批号:2017+ 数量:20560 单价:面议 FET 类型:N沟道 类型:MOSFET 漏源电压（Vdss:600V 功率耗散:140W
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型号/规格:STW10NK80Z 品牌/商标:ST（意法半导体） 封装形式:TO-247 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:散装 功率特征:大功率 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 批号:2017+ 单价:面议
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型号/规格:STD10NM60N 品牌/商标:ST（意法半导体） 封装形式:TO-252 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:大功率 种类:MOSFET FET 类型:N沟道 功率耗散:70W 工作温度:-55°C ~ 150°C 封装尺寸:TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
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