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深圳市勤思达科技有限公司
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产品信息
型号：MJE243 MJE243G MJE243G
制造商：ON Semiconductor
厂家：ISC [Inchange Semiconductor Company Limited]
描述：isc Silicon NPN Power Transistor
产品种类：Transistors Bipolar (BJT)
晶体管极性：NPN
集电极—发射极电压 VCEO：100 V
发射极 - 基极电压 VEBO：7 V
直流电集电极电流：4 A
直流集电极/Base Gain hfe Min：40
配置：Single
工作频率：40 MHz
工作温度：+ 150 C
安装风格：Through Hole
封装 / 箱体：TO-225-3
封装：Bulk
集电极连续电流：4 A
工作温度：- 65 C
功率耗散：15 W
工厂包装数量：500
描述：MJE243是专为低功耗音频放大器和低电流，高速开关应用 。
制造商：ON Semiconductor
厂家：ISC [Inchange Semiconductor Company Limited]
描述：isc Silicon NPN Power Transistor
产品种类：Transistors Bipolar (BJT)
晶体管极性：NPN
集电极—发射极电压 VCEO：100 V
发射极 - 基极电压 VEBO：7 V
直流电集电极电流：4 A
直流集电极/Base Gain hfe Min：40
配置：Single
工作频率：40 MHz
工作温度：+ 150 C
安装风格：Through Hole
封装 / 箱体：TO-225-3
封装：Bulk
集电极连续电流：4 A
工作温度：- 65 C
功率耗散：15 W
工厂包装数量：500
描述：MJE243是专为低功耗音频放大器和低电流，高速开关应用 。
These devices are designed for low power audio amplifier and
low−current, high−speed switching applications.
Features
• High Collector−Emitter Sustaining Voltage
• High DC Current Gain
• Low Collector−Emitter Saturation Voltage
• High Current Gain Bandwidth Product
• Annular Construction for Low Leakages
• These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant*
MJE243G TO−225(Pb−Free) 500 Units/Box
MJE253G TO−225(Pb−Free) 500 Units/BoxMJE243G (NPN), MJE253G (PNP)
RB and RC VARIED TO OBTAIN DESIRED CURRENT LEVELS
D1 MUST BE FAST RECOVERY TYPE, e.g.:
1N5825 USED ABOVE IB ≈ 100 mA
MSD6100 USED BELOW IB ≈ 100 mA
FOR PNP TEST CIRCUIT, REVERSE ALL POLARITIES1KI
