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深圳市勤思达科技有限公司
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产品信息
型号：MMBT5401LT1G
制造商：ON
厂家：ONSEMI [ON Semiconductor]
描述：High Voltage Transistor(PNP Silicon)
类别：分离式半导体产品
家庭：晶体管(BJT) - 单路
系列：-
晶体管类型：PNP
电流 - 集电极 (Ic)（）：100mA
电压 - 集电极发射极击穿（）：150V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度（）：500mV @ 5mA，50mA
电流 - 集电极截止（）：50nA
在某 Ic、Vce 时的直流电流增益 (hFE)：60 @ 10mA，5V
功率 - ：225mW
频率 - 转换：300MHz
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商设备封装：SOT-23-3（TO-236）
包装：带卷 (TR)
其它名称：MMBT5401LT1GOSMMBT5401LT1GOS-NDMMBT5401LT1GOSTR
标准包装：3,000
制造商：ON
厂家：ONSEMI [ON Semiconductor]
描述：High Voltage Transistor(PNP Silicon)
类别：分离式半导体产品
家庭：晶体管(BJT) - 单路
系列：-
晶体管类型：PNP
电流 - 集电极 (Ic)（）：100mA
电压 - 集电极发射极击穿（）：150V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度（）：500mV @ 5mA，50mA
电流 - 集电极截止（）：50nA
在某 Ic、Vce 时的直流电流增益 (hFE)：60 @ 10mA，5V
功率 - ：225mW
频率 - 转换：300MHz
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商设备封装：SOT-23-3（TO-236）
包装：带卷 (TR)
其它名称：MMBT5401LT1GOSMMBT5401LT1GOS-NDMMBT5401LT1GOSTR
标准包装：3,000
High Voltage Transistor
PNP Silicon
Features
• S and NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring
Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101
Qualified and PPAP Capable
• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS
Compliant
