型号:MJD350
制造商:ON Semiconductor
产品种类:Transistors Bipolar (BJT)
晶体管极性:PNP
集电极—发射极电压 VCEO:300 V
发射极 - 基极电压 VEBO:3 V
直流电集电极电流:0.5 A
直流集电极/Base Gain hfe Min:30 at 50 mA at 10 V
配置:Single
工作温度:+ 150 C
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:TO-252-3 (DPAK)
封装:Tube
集电极连续电流:0.5 A
工作温度:- 65 C
功率耗散:15 W
描述:PNP Epitaxial Silicon Transistor
工厂包装数量:75