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朱亮成 
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型号/规格:SI2315BDS-T1-E3 品牌/商标:Vishay Siliconix 封装形式:SOT-23 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:大功率 批号:2017+ 数量:15800 单价:面议 功率:750 mW FET 类型:P通道 漏源电压（Vdss）:12V
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型号/规格:SI7858ADP-T1-E3 品牌/商标:Vishay / Siliconix 封装形式:QFN-8 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:盒带编带包装 功率特征:大功率 FET 类型:N沟道 批号:2017+ 数量:19860 单价:面议 漏源电压（Vdss）:12V 电流:20A 工作温度范围:-55C ~ 150C
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型号/规格:SI4914BDY-T1-E3 品牌/商标:Vishay / Siliconix 封装形式:SOP-8 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:大功率 批号:2017+ 数量:198600 FET 类型:2个N通道 Vdss:30v 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 封装尺寸:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
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型号/规格:STB11NM80T4 品牌/商标:ST 封装形式:TO-263 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:盒带编带包装 功率特征:大功率 批号:2017+ 单价:面议 数量:19860 FET 类型:N通道 漏源电压（Vdss）:800V Id:11A 功耗:150W 正常工作温度:-65°C ~ 150°C
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型号/规格:SI7178DP-T1-GE3 品牌/商标:Vishay Semiconductors 封装形式:QFN-8 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:大功率 批号:2017+ 数量:198500 单价:面议 FET 类型:N沟道 Vdss:100V 功耗:104W（Tc） 工作温度范围:-55°C ~ 150°C（TJ） 封装尺寸:PowerPAK® SO-8
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型号/规格:STB20NM50 品牌/商标:ST（意法半导体） 封装形式:TO-252-3 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:大功率 批号:2017+ 单价:面议 数量:15000 FET 类型 :N沟道 漏源电压（Vdss）:550V 功耗:192W（Tc） 工作温度范围:-65°C ~ 150°C
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型号/规格:SI7110DN-T1-GE3 品牌/商标:Vishay / Siliconix 封装形式:QFN 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:大功率 批号:2018+ 数量:50000 单价:面议 FET 类型:N通道 Vdss:20V 功率耗散:1.5W
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型号/规格:STB75NF75T4 品牌/商标:ST（意法半导体） 封装形式:TO-263 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:大功率 批号:2017+ 数量:185000 单价:面议 FET 类型:N通道 Vdss:75V 工作温度范围:-55°C ~ 175°C
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型号/规格:IRF9540PBF 品牌/商标:Vishay 封装形式:TO-220 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:大功率 批号:2017+ 数量:195800 单价:面议 FET 类型:P通道 Vdss:100V 工作温度范围:-55°C ~ 175°C
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型号/规格:SI4936CDY-T1-E3 品牌/商标:Vishay / Siliconix 封装形式:SOP-8 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:小功率 批号:2018+ 数量:85030 FET 类型:2 个 N 沟道 漏源电压（Vdss）:30V 封装尺寸:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 工作温度范围:-55°C ~ 150°C
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型号/规格:STP9NK60ZFP 品牌/商标:ST（意法半导体） 封装形式:TO-220F 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:大功率 批号:2018+ 数量:19500 单价:面议 功率:30W（Tc） 工作温度范围:-55°C ~ 150°C FET 类型:N通道
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型号/规格:SI2312BDS-T1-GE3 品牌/商标:Vishay Siliconix 封装形式:SOT-23 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:小功率 晶体管类型:N通道 电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）:3.9A 功率:750mW 工作温度范围:-55°C ~ 150°C 单价:面议 批号:2018+
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型号/规格:SISA14DN-T1-GE3 品牌/商标:Vishay Semiconductors 封装形式:QFN 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:小功率 批号:2018+ 数量:58600 单价:面议 FET 类型:N通道 漏源电压（Vdss）:30V 工作温度范围:-55°C ~ 150°C
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型号/规格:TP0610K-T1-GE3 品牌/商标:Vishay Semiconductors 封装形式:SOT-23 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:大功率 种类:场效应管 批号:2018+ 数量:98500 单价:面议 类型:P通道
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型号/规格:SI2333CDS-T1-GE3 品牌/商标:ST（意法半导体） 封装形式:SOT-23 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:大功率 FET 类型:P 沟道 漏源电压（Vdss）:12V 功率耗散:2.5W 批号:2017+ 数量:189500 封装:SOT-23
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