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朱亮成 
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型号/规格:STB3NK60ZT4 品牌/商标:ST（意法半导体） 封装形式:TO-263 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:大功率 批号:2017+ 数量:58000 单价:面议 FET 类型:N 沟道 功率:45W 工作温度范围:-55°C ~ 150°C
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型号/规格:STF10N62K3 品牌/商标:ST（意法半导体） 封装形式:TO-220F 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:散装 功率特征:大功率 FET 类型:N沟道 漏源电压（Vdss）:620V 批号:2017+ 价格:面议 工作温度范围: -55°C ~ 150°C
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型号/规格:STW13NK100Z 品牌/商标:ST（意法半导体） 封装形式:TO-247 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:大功率 批号:2018+ 数量:29500 单价:面议 FET 类型:N沟道 （Vdss）:1000V 工作温度:-55°C ~ 150°c 类别:分立式半导体
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型号/规格:STF15NM65N 品牌/商标:ST（意法半导体） 封装形式:TO-220F 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:散装 功率特征:超大功率 FET 类型:N沟道 批号:2018+ 数量:15600 功率:30W
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型号/规格:STW48NM60N 品牌/商标:ST（意法半导体） 封装形式:TO-247 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:散装 功率特征:大功率 类型:MOSFET 通道:N通道 功率:255 W 批号:2018+ 数量:18650 单价:面议 工作温度范围:- 55 C to 150C
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型号/规格:STW26NM60N 品牌/商标:ST（意法半导体） 封装形式:TO-247 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:散装 功率特征:超大功率 生产批号:2017+ 数量:20560 单价:面议 FET 类型:N沟道 类型:MOSFET 漏源电压（Vdss:600V 功率耗散:140W
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型号/规格:STW10NK80Z 品牌/商标:ST（意法半导体） 封装形式:TO-247 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:散装 功率特征:大功率 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 批号:2017+ 单价:面议
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型号/规格:STD10NM60N 品牌/商标:ST（意法半导体） 封装形式:TO-252 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:大功率 种类:MOSFET FET 类型:N沟道 功率耗散:70W 工作温度:-55°C ~ 150°C 封装尺寸:TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
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型号/规格:STP10NK70ZFP 品牌/商标:ST（意法半导体） 封装形式:TO-220F 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:散装 功率特征:大功率 FET 类型:N沟道 工作温度:-55°C ~ 150°C 种类:MOSFET 批号:2018+ 封装:TO-220F
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型号/规格:STF6N62K3 品牌/商标:ST（意法半导体） 封装形式:TO-220F 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:盒带编带包装 功率特征:大功率
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型号/规格:STF11NM80 品牌/商标:ST（意法半导体） 封装形式:TO-220F 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:散装 功率特征:大功率
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型号/规格:IPD90N06S4-04 品牌/商标:INFINEON（英飞凌） 封装形式:TO-252 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:盒带编带包装 功率特征:中功率 批号:17+ 数量:10000 : 座机:
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型号/规格:IRGP50B60PDPBF 品牌/商标:IR 封装形式:TO-247 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:管装 功率特征:大功率
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型号/规格:2SA1358 品牌/商标:TOSHIBA（东芝） 封装形式:TO-126 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:散装 功率特征:小功率
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