MJE802G 达林顿晶体管 4A 80V NPN_深圳市勤思达科技有限公司

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深圳市勤思达科技有限公司

卖家积分： 23001分-24000分

营业执照：已审核

经营模式：贸易/代理/分销

所在地区：广东深圳

企业网站：
http://qsd.dzsc.com

产品分类

供应MJE802G 达林顿晶体管 4A 80V NPN

型号/规格：

MJE802G

品牌/商标：

ON（安森美）

封装形式：

TO-126

环保类别：

无铅环保型

安装方式：

直插式

包装方式：

散装

功率特性：

大功率

频率特性：

高频

极性：

NPN型

集电极—发射极电压 VCEO：

80 V

发射极 - 基极电压 VEBO：

5 V

直流电集电极电流：

4 A

询价

产品信息

型号：MJE802G
类别：分离式半导体产品
家庭：晶体管(BJT) - 单路
系列：-
晶体管类型：NPN - 达林顿
电流 - 集电极 (Ic)（）：4A
电压 - 集电极发射极击穿（）：80V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度（）：2.5V @ 30mA，1.5A
电流 - 集电极截止（）：100μA
在某 Ic、Vce 时的直流电流增益 (hFE)：750 @ 1.5A，3V
功率 - ：40W
频率 - 转换：-
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-225AA，TO-126-3
供应商设备封装：TO225AA
包装：散装
其它名称：MJE802GOS
标准包装：500
描述：MJE802G专为通用放大器和低速开关的应用程。

MJE700G, MJE702G,

MJE703G (PNP), MJE800G,

MJE802G, MJE803G (NPN)

Plastic Darlington

Complementary Silicon

Power Transistors

These devices are designed for general−purpose amplifier and

low−speed switching applications.

Features

• High DC Current Gain − hFE = 2000 (Typ) @ IC

= 2.0 Adc

• Monolithic Construction with Built−in Base−Emitter Resistors to

Limit Leakage − Multiplication

• Choice of Packages − MJE700 and MJE800 Series

• These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant*

Product parametric performance is indicated in the Electrical Characteristics for the listed test conditions, unless otherwise noted. Product

performance may not be indicated by the Electrical Characteristics if operated under different conditions.

1. Pulse Test: Pulse Width ≤ 300 s, Duty Cycle ≤ 2.0%.

MJE700G, MJE702G, MJE703G (PNP), MJE800G, MJE802G, MJE803G (NPN)

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