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深圳市勤思达科技有限公司
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产品信息
类别：分离式半导体产品
家庭：晶体管(BJT) - 单路
系列：-
晶体管类型：NPN - 达林顿
电流 - 集电极 (Ic)（）：4A
电压 - 集电极发射极击穿（）：80V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度（）：2.5V @ 30mA，1.5A
电流 - 集电极截止（）：100μA
在某 Ic、Vce 时的直流电流增益 (hFE)：750 @ 1.5A，3V
功率 - ：40W
频率 - 转换：-
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-225AA，TO-126-3
供应商设备封装：TO225AA
包装：散装
其它名称：MJE802GOS
标准包装：500
描述：MJE802G专为通用放大器和低速开关的应用程。
MJE700G, MJE702G,
MJE703G (PNP), MJE800G,
MJE802G, MJE803G (NPN)
Plastic Darlington
Complementary Silicon
Power Transistors
These devices are designed for general−purpose amplifier and
low−speed switching applications.
Features
• High DC Current Gain − hFE = 2000 (Typ) @ IC
= 2.0 Adc
• Monolithic Construction with Built−in Base−Emitter Resistors to
Limit Leakage − Multiplication
• Choice of Packages − MJE700 and MJE800 Series
• These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant*
Product parametric performance is indicated in the Electrical Characteristics for the listed test conditions, unless otherwise noted. Product
performance may not be indicated by the Electrical Characteristics if operated under different conditions.
1. Pulse Test: Pulse Width ≤ 300 s, Duty Cycle ≤ 2.0%.
MJE700G, MJE702G, MJE703G (PNP), MJE800G, MJE802G, MJE803G (NPN)
