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深圳市勤思达科技有限公司
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产品信息
品牌：TI
类别：分离式半导体产品
家庭：晶体管(BJT) - 单路
系列：-
晶体管类型：NPN - 达林顿
电流 - 集电极 (Ic)（）：5A
电压 - 集电极发射极击穿（）：100V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度（）：4V @ 20mA，5A
电流 - 集电极截止（）：500μA
在某 Ic、Vce 时的直流电流增益 (hFE)：1000 @ 3A，3V
功率 - ：2W
频率 - 转换：-
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-220-3
供应商设备封装：TO-220AB
包装：管件
其它名称：TIP122OS
标准包装：50
Features
■ Low collector-emitter saturation voltage
■ Complementary NPN - PNP transistors
Applications
■ General purpose linear and switching
Description
The devices are manufactured in planar
technology with “base island” layout and
monolithic Darlington configuration. The resulting
transistors show exceptional high gain
performance coupled with very low saturation
voltage.
Symbol Parameter Value Unit
NPN TIP120 TIP121 TIP122
PNP TIP125 TIP126 TIP127
VCBO Collector-base voltage (IE = 0) 60 80 100 V
VCEO Collector-emitter voltage (IB = 0) 60 80 100 V
VEBO Emitter-base voltage (IC = 0) 5 V
IC Collector current 5 A
ICM Collector peak current 8 A
IB Base current 0.12 APTOT
Total dissipation at Tc ≤ 25 °C
Tamb ≤ 25 °C652W
Tstg Storage temperature -65 to 150 °C
TJ Max. operating junction temperature 150
TIP122