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深圳市勤思达科技有限公司
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供应SI4936CDY-T1-E3 SOP8 MOSFET管
型号/规格:SI4936CDY-T1-E3 品牌/商标:Vishay / Siliconix 封装形式:SOP-8 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:小功率 批号:2018+ 数量:85030 FET 类型:2 个 N 沟道 漏源电压(Vdss):30V 封装尺寸:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 工作温度范围:-55°C ~ 150°C
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供应STP9NK60ZFPMOSFE TO220F
型号/规格:STP9NK60ZFP 品牌/商标:ST(意法半导体) 封装形式:TO-220F 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:大功率 批号:2018+ 数量:19500 单价:面议 功率:30W(Tc) 工作温度范围:-55°C ~ 150°C FET 类型:N通道
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供应SI2312BDS-T1-GE3 MOFES
型号/规格:SI2312BDS-T1-GE3 品牌/商标:Vishay Siliconix 封装形式:SOT-23 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:小功率 晶体管类型:N通道 电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id):3.9A 功率:750mW 工作温度范围:-55°C ~ 150°C 单价:面议 批号:2018+
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供应TDA7266M 7W双桥放大器
品牌:STMicroelectronics 型号:TDA7266M 种类:音频放大器 批号:2016+ 数量:15600 单价:面议 封装:ZIP 类型:AB类 输出类型:单通道 1通道 电压 - 电源:3 V ~ 18 V
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供应SISA14DN-T1-GE3 MOSFET管
型号/规格:SISA14DN-T1-GE3 品牌/商标:Vishay Semiconductors 封装形式:QFN 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:小功率 批号:2018+ 数量:58600 单价:面议 FET 类型:N通道 漏源电压(Vdss):30V 工作温度范围:-55°C ~ 150°C
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供应US1D-E3/61T整流器 1A 200V
型号/规格:US1D-E3/61T 品牌/商标:Vishay(威世) 封装形式:SMA 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特性:大功率 频率特性:高频 电流:1A 反向击穿电流:200V 批号:2018+ 数量:986200 单价:面议 工作温度范围:-55°C ~ 150°C 标准包装:1800
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供应1N5819-E3/54肖特基二极管
型号/规格:1N5819-E3/54 品牌/商标:Vishay(威世) 封装形式:DO-41 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:盒带编带包装 功率特性:大功率 频率特性:高频 整流电流:1AA 反向击穿电流:1000 uA 种类:肖特基二极管 批号:2018+ 数量:58600 单价:面议 包装:5500
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供应TP0610K-T1-GE3 P沟道MOSFET
型号/规格:TP0610K-T1-GE3 品牌/商标:Vishay Semiconductors 封装形式:SOT-23 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:大功率 种类:场效应管 批号:2018+ 数量:98500 单价:面议 类型:P通道
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供应高压二极管整流器STTH310S 贴片SMC
型号/规格:STTH310S 品牌/商标:ST(意法半导体) 封装形式:SMC 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特性:大功率 频率特性:高频 整流电流:3AA 反向击穿电流:1000V 批号:2018+ 数量:50000 单价:面议 正常工作温度:-40°C ~ 175°C
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供应SI2333CDS-T1-GE3场效应管 SOT-23贴片
型号/规格:SI2333CDS-T1-GE3 品牌/商标:ST(意法半导体) 封装形式:SOT-23 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:大功率 FET 类型:P 沟道 漏源电压(Vdss):12V 功率耗散:2.5W 批号:2017+ 数量:189500 封装:SOT-23
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供应电压基准器 TL431AIDT 贴片sop8
型号/规格:TL431AIDT 品牌/商标:ST(意法半导体) 批号:2018+ 参考类型:分流器 输出类型:可调式 输出电压值:2.495V 电压值:36V 容差:1% 封装尺寸:8-SOIC(0.154 正常工作温度:-40°C ~ 105°C
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供应STB3NK60ZT4 MOSFET N通道 600V
型号/规格:STB3NK60ZT4 品牌/商标:ST(意法半导体) 封装形式:TO-263 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:大功率 批号:2017+ 数量:58000 单价:面议 FET 类型:N 沟道 功率:45W 工作温度范围:-55°C ~ 150°C
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供应STPS20L45CG-TR 肖特基二极管45V D2PAK
型号/规格:STPS20L45CG-TR 品牌/商标:ST(意法半导体) 封装形式:TO-263 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:盒带编带包装 功率特性:大功率 频率特性:高频 整流电流:180 AA 反向击穿电流:20 A 批号:2017+ 单价:面议 二极管类型:肖特基 工作温度:150°C 平均电流:10A
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供应ULN2003D1013TR达林顿晶体管 7NPN 1:1
型号/规格:ULN2003D1013TR 品牌/商标:ST(意法半导体) 封装形式:SOP-16 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特性:大功率 频率特性:高频 极性:NPN型 批号:2018 数量:25800 单价:面议 晶体管类型:7 NPN 达林顿 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装尺寸:16-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
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供应USBLC6-4SC TVS二极管 5.25V 17V
品牌:STMicroelectronics 封装:SOT-23 批号:2018+ 数量:195800 单向通道:4 工作温度范围:-40°C ~ 125°C 电压 - 击穿(值):6V 电压 - 箝位(值)@ Ipp:17V
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供应TS321ILT运算放大器 800KH 40 mA
型号/规格:TS321ILT 品牌/商标:ST(意法半导体) 批号:2018+ 数量:25600 单价:面议 放大类型:通用 电路数:1 增益带宽积:800kHz 工作温度:-40°C ~ 125°C
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供应TIP3055 两极晶体管 NPN TO-247封装
型号/规格:TIP3055 品牌/商标:ST(意法半导体) 封装形式:TO-247 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:散装 功率特性:大功率 频率特性:超高频 极性:NPN型
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供应TS3431ILT 电压基准器 ADJ 1.24V
型号:TS3431ILT 品牌:ST 批号:2017+ 数量:35800 单价:面议 封装:SOT-23 类型:分流器 输出类型:可调式 正常工作温度: -40°C ~ 125°C
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供应STF10N62K3 MOSFET 8.4A TO-220FP
型号/规格:STF10N62K3 品牌/商标:ST(意法半导体) 封装形式:TO-220F 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:散装 功率特征:大功率 FET 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):620V 批号:2017+ 价格:面议 工作温度范围: -55°C ~ 150°C
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供应STF10N62K3肖特基整流二极管
型号/规格:STF10N62K3 品牌/商标:ST(意法半导体) 封装形式:DO-201AD 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:卷带编带包装 功率特性:大功率 频率特性:高频 整流电流:3AA 反向击穿电流:150V 批号:2017+ 数量:298600 单价:面议 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向(Vr)(值):150V
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供应STTH110A整流二极管贴片SMA
型号/规格:STTH110A 品牌/商标:ST(意法半导体) 封装形式:SMA 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:盒带编带包装 功率特性:大功率 频率特性:高频 整流电流:1AA 反向击穿电流:1000V 批号:2017+ 数量:56200 单价:面议 电压 - DC 反向(Vr)(值):1000V
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供应ESDA6V1-5W6 整流二极管 6.1V 100W
型号/规格:ESDA6V1-5W6 品牌/商标:ST(意法半导体) 封装形式:SOT-363 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特性:大功率 频率特性:超高频 反向击穿电流:7.2 V 批号:2018+ 数量:19000 功率 - 峰值脉冲:100W 类型:齐纳二极管 正常工作温度:-40°C ~ 125°C
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供应STW13NK100Z MOSFET
型号/规格:STW13NK100Z 品牌/商标:ST(意法半导体) 封装形式:TO-247 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:大功率 批号:2018+ 数量:29500 单价:面议 FET 类型:N沟道 (Vdss):1000V 工作温度:-55°C ~ 150°c 类别:分立式半导体
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供应STF15NM65N MOSFET管 N 650V 12A
型号/规格:STF15NM65N 品牌/商标:ST(意法半导体) 封装形式:TO-220F 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:散装 功率特征:超大功率 FET 类型:N沟道 批号:2018+ 数量:15600 功率:30W
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供应STW48NM60N场效应管0.055 Ohm 39A
型号/规格:STW48NM60N 品牌/商标:ST(意法半导体) 封装形式:TO-247 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:散装 功率特征:大功率 类型:MOSFET 通道:N通道 功率:255 W 批号:2018+ 数量:18650 单价:面议 工作温度范围:- 55 C to 150C
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供应ST原装MOSFET STW26NM60N
型号/规格:STW26NM60N 品牌/商标:ST(意法半导体) 封装形式:TO-247 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:散装 功率特征:超大功率 生产批号:2017+ 数量:20560 单价:面议 FET 类型:N沟道 类型:MOSFET 漏源电压(Vdss:600V 功率耗散:140W
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供应STW10NK80Z MOSFET N-CH 800V 9A
型号/规格:STW10NK80Z 品牌/商标:ST(意法半导体) 封装形式:TO-247 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:散装 功率特征:大功率 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 批号:2017+ 单价:面议
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供应STD10NM60N MOSFET N-CH 600V 8A
型号/规格:STD10NM60N 品牌/商标:ST(意法半导体) 封装形式:TO-252 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:大功率 种类:MOSFET FET 类型:N沟道 功率耗散:70W 工作温度:-55°C ~ 150°C 封装尺寸:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
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供应STP10NK70ZFP MOSFET N-Ch, 700V 35 W
型号/规格:STP10NK70ZFP 品牌/商标:ST(意法半导体) 封装形式:TO-220F 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:散装 功率特征:大功率 FET 类型:N沟道 工作温度:-55°C ~ 150°C 种类:MOSFET 批号:2018+ 封装:TO-220F
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供应STPS20150CG-TR肖特基二极管 20A 50 V
型号/规格:STPS20150CG-TR 品牌/商标:ST(意法半导体) 封装形式:TO-263 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特性:大功率 频率特性:高频 整流电流:20 AA 反向电压:150VV
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供应STF6N62K3 MOSFET N 沟道
型号/规格:STF6N62K3 品牌/商标:ST(意法半导体) 封装形式:TO-220F 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:盒带编带包装 功率特征:大功率
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供应 稳压管LM317MDT-TR ADJ 500MA
型号/规格:LM317MDT-TR 品牌/商标:ST(意法半导体) 封装形式:TO-252-3 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特性:大功率 频率特性:高频 极性:NPN型
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供应STPS20H100CG-TR肖特基二极管
型号/规格:STPS20H100CG-TR 品牌/商标:ST(意法半导体) 封装形式:TO-263 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特性:大功率 频率特性:高频 整流电流:20 AA 反向电压:100 VV
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供应L78L12ACZ稳压管 12V 0.1A
型号/规格:L78L12ACZ 品牌/商标:ST(意法半导体) 封装形式:TO-92 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特性:大功率 频率特性:高频 极性:PNP型
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供应STF11NM80 MOS管800V 11A TO220FP
型号/规格:STF11NM80 品牌/商标:ST(意法半导体) 封装形式:TO-220F 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:散装 功率特征:大功率
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供应L78L09ABUT稳压管100MA 9V
型号/规格:L78L09ABUTR 品牌/商标:ST(意法半导体) 封装形式:TO-89 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特性:大功率 频率特性:高频 极性:PNP型
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供应L7808ABD2T-TR稳压器 8.0V 1.0A D2PAK
型号/规格:L7808ABD2T-TR 品牌/商标:ST(意法半导体) 封装形式:D2PAK 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特性:大功率 频率特性:高频 极性:PNP型
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供应LD1117DT33CTR可调稳压管3.3V 800MA
型号/规格:LD1117DT33CTR 品牌/商标:ST(意法半导体) 封装形式:TO-252-3 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特性:大功率 频率特性:高频 极性:NPN型