深圳市勤思达科技有限公司

供应 IRF9530NPBF TO-220 MOSFET P 通道

型号/规格:IRF9530NPBF 品牌/商标:IR 封装形式:TO-220 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:管 功率特征:中功率

供应IRF530NPBF MOSFET N通道17A100V

型号/规格:IRF530NPBF 品牌/商标:IR 封装形式:TO-220 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:管 功率特征:中功率

IGBT大功率晶体管IXGH48N60C3D1 30A600V

型号/规格:IXGH48N60C3D1 品牌/商标:IXYS/艾赛斯 环保类别:无铅环保型 集电极—发射极电压 VCEO::600V 栅极/发射极电压::20 V 工作温度::55 C 工作温度::+ 150 C

IRF640NPBF MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC

型号/规格:IRF640NPBF 品牌/商标:IR 封装形式:TO-220 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:散装 功率特征:中功率

供应IRF740STRLPBF TO263 功率场效应管 N沟道

型号/规格:IRF740STRLPBF 品牌/商标:IR 封装形式:TO263-3 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:中功率

供应IRF740PBF MOSFET N-CH 400V HEXFET MOSFET

型号/规格:IRF740PBF 品牌/商标:IR 封装形式:TO-220 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:散装 功率特征:中功率

供应IXFX64N50P MOSFET 500 V 0.09

型号/规格:IXFX64N50P 品牌/商标:IXYS 封装形式:TO-3P 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:管装 功率特征:大功率

供应IRFP9140PBF N沟道MOS管TO-247 封装

型号/规格:IRFP9140PBF 品牌/商标:Vishay 封装形式:TO-3P 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:管装 功率特征:中功率

供应IRFB4227PbF TO-220 开关MOS管 N沟道

型号/规格:IRFB4227PbF 品牌/商标:IR 封装形式:TO-220 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:管装 功率特征:中功率

供应IRF9540NPBF TO-220 MOSFET P沟道

型号/规格:IRF9540NPBF 品牌/商标:IR 封装形式:TO-220 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:管 功率特征:中功率

供应IRF5210PBF MOSFETP 通道 100V40A

型号/规格:IRF5210PBF 品牌/商标:IR 封装形式:TO-220 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:管 功率特征:中功率

供应BS107ARL1G场效应MOSFET管

型号/规格:BS107ARL1G 品牌/商标:ON（安森美） 封装形式:TO-92 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:中功率 年份:17 数量:20000 货期:现货 价格:面议

IRG4PF50WDPBF 绝缘栅双极型晶 恢复二极管

型号/规格:IRG4PF50WD 品牌/商标:IR 封装形式:TO-247 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:管 功率特征:大功率

供应IRF540NPBF 晶体管 MOSFET

型号/规格:IRF540NPBF 品牌/商标:IR 封装形式:TO-220 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:盒带编带包装 功率特征:中功率 年份:17+

供应2SK1500场效应管 三极管 变频器

型号/规格:2SK1500 品牌/商标:NEC 封装形式:TO-247 环保类别:普通型 安装方式:直插式 包装方式:散装 功率特征:大功率

供应IRFP460APBF,N沟道500V场效应管

型号/规格:IRFP460APBF 品牌/商标:IR 封装形式:TO-247 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:盒带编带包装 功率特征:大功率

场效应MOS管2SK2225/2A/1500V/TO-3P封装

型号/规格:2SK2225 品牌/商标:RENESAS 封装形式:TO-3P 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:散装 功率特征:大功率

供应TIP41C NPN 晶体管 TO-220封装

型号/规格:TIP41C 品牌/商标:STMicroelectronics 环保类别:无铅环保型 封装:TO-220 批号:2018+ 晶体管类型:NPN 电流值:6A 电压值:100V

供应FQU1N60CTU MOSFET管 TO-247直插

型号/规格:FQU1N60CTU 品牌/商标:FAIRCHILD（飞兆） 封装形式:TO-247 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:散装 功率特征:大功率 批号:2016 功率耗散:28W

供应FDS6688 SOP8 MOSFET晶体管 N 通道

型号/规格:FDS6688 品牌/商标:FAIRCHILD（飞兆） 封装形式:SOP-8 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:散装 功率特征:小功率

供应SI7135DP-T1-GE3 小功率MOSFET P通道

型号/规格:SI7135DP-T1-GE3 品牌/商标:Vishay / Siliconix 封装形式:SOT-23 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:小功率

供应贴片MOSFET SQ2308CES-T1-GE3

型号/规格:SQ2308CES-T1-GE3 品牌/商标:Vishay / Siliconix 封装形式:SOT-23 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:小功率

供应场效应管SI9435BDY-T1-E3

型号/规格:SI9435BDY-T1-E3 品牌/商标:Vishay / Siliconix 封装形式:SOP-8 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:中功率

供应STP3NK90Z TO-220 MOSFET

型号/规格:STP3NK90Z 品牌/商标:ST（意法半导体） 封装形式:TO-220 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:散装 功率特征:大功率

IRF840PBF TO-220 MOSFET N通道

型号/规格:IRF840PBF 品牌/商标:Vishay / Siliconix 封装形式:TO-220 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:散装 功率特征:大功率 FEET类型:N通道

STP55NF06晶体MOSFET N通道 TO-220F

型号/规格:STP55NF06 品牌/商标:ST（意法半导体） 封装形式:TO-220 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:散装 功率特征:大功率

供应SI4972DY-T1-E3双N通道MOSFET

型号/规格:SI4972DY-T1-E3 品牌/商标:Vishay Siliconix 封装形式:SOT-23 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:小功率 批号:2017+ 数量:18900 单价:面议 FET类型:2 个 N 沟道（双） 漏源电压（Vdss）:30V 功率耗散:3.1W，2.5W 工作温度范围:-55°C ~ 150°C（TJ）

供应SI2316BDS-T1-E3 小功率MOSFET N沟道

型号/规格:SI2316BDS-T1-E3 品牌/商标:Vishay / Siliconix 封装形式:SOT-23 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:小功率 批号:2017 数量:36800 封装尺寸:SOT-23-3（TO-236 类型:N沟道 工作温度范围:-55°C ~ 150°C（TJ 漏源电压（Vdss）:30V

SI2337DS-T1-GE3 晶体MOSFET P通道

型号/规格:SI2337DS-T1-GE3 品牌/商标:Vishay / Siliconix 封装形式:SOT-23 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:小功率 批号:2017 数量:37800 单价:面议 FET 类型:P通道 Vdss:80V Id:2.2A（Tc） 功率耗散:760mW 正常工作温度:-50°C ~ 150°C（TJ）

供应SI2315BDS-T1-E3贴片MOSFET

型号/规格:SI2315BDS-T1-E3 品牌/商标:Vishay Siliconix 封装形式:SOT-23 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:大功率 批号:2017+ 数量:15800 单价:面议 功率:750 mW FET 类型:P通道 漏源电压（Vdss）:12V

供应SI7858ADP-T1-E3 晶体MOSFET 贴片QFN8

型号/规格:SI7858ADP-T1-E3 品牌/商标:Vishay / Siliconix 封装形式:QFN-8 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:盒带编带包装 功率特征:大功率 FET 类型:N沟道 批号:2017+ 数量:19860 单价:面议 漏源电压（Vdss）:12V 电流:20A 工作温度范围:-55C ~ 150C

供应双通道MOSFET晶体管SI4914BDY-T1-E3

型号/规格:SI4914BDY-T1-E3 品牌/商标:Vishay / Siliconix 封装形式:SOP-8 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:大功率 批号:2017+ 数量:198600 FET 类型:2个N通道 Vdss:30v 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 封装尺寸:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应贴片MOSFET STB11NM80T4

型号/规格:STB11NM80T4 品牌/商标:ST 封装形式:TO-263 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:盒带编带包装 功率特征:大功率 批号:2017+ 单价:面议 数量:19860 FET 类型:N通道 漏源电压（Vdss）:800V Id:11A 功耗:150W 正常工作温度:-65°C ~ 150°C

供应商贴片MOSFET SI7178DP-T1-GE3 N通道

型号/规格:SI7178DP-T1-GE3 品牌/商标:Vishay Semiconductors 封装形式:QFN-8 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:大功率 批号:2017+ 数量:198500 单价:面议 FET 类型:N沟道 Vdss:100V 功耗:104W（Tc） 工作温度范围:-55°C ~ 150°C（TJ） 封装尺寸:PowerPAK® SO-8

供应STB20NM50贴片MOSFET TO-252 N通道

型号/规格:STB20NM50 品牌/商标:ST（意法半导体） 封装形式:TO-252-3 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:大功率 批号:2017+ 单价:面议 数量:15000 FET 类型 :N沟道 漏源电压（Vdss）:550V 功耗:192W（Tc） 工作温度范围:-65°C ~ 150°C

供应SI7110DN-T1-GE3 MOSFET 贴片QFN

型号/规格:SI7110DN-T1-GE3 品牌/商标:Vishay / Siliconix 封装形式:QFN 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:大功率 批号:2018+ 数量:50000 单价:面议 FET 类型:N通道 Vdss:20V 功率耗散:1.5W

供应STB75NF75T4 D2PAK MOSFET ST原装进口

型号/规格:STB75NF75T4 品牌/商标:ST（意法半导体） 封装形式:TO-263 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:大功率 批号:2017+ 数量:185000 单价:面议 FET 类型:N通道 Vdss:75V 工作温度范围:-55°C ~ 175°C

供应场效应管MOSFET IRF9540PBF

型号/规格:IRF9540PBF 品牌/商标:Vishay 封装形式:TO-220 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:大功率 批号:2017+ 数量:195800 单价:面议 FET 类型:P通道 Vdss:100V 工作温度范围:-55°C ~ 175°C